英特爾宣佈，阿斯麥首批兩臺高數值孔徑（High-NA EUV）極紫光刻機已經在其工廠投入生產。初步數據顯示，其效率、可靠性比上一代EUV光刻機都有明顯提升。

Intel資深首席工程師Steve Carson表示，Intel利用先進光刻機已在一季內生產3萬片晶圓，這些晶圓可以產出數千顆計算芯片。

這兩臺光刻機是目前世界上最先進的光刻機，能夠比之前的阿斯麥光刻機生產出更小、更快的計算芯片。

去年，Intel成爲了全球首家接收這些光刻機的芯片製造商。此舉是Intel的戰略轉變，該公司在採用上一代極紫外 （EUV） 光刻機方面落後於競爭對手。

Intel花了七年時間纔將之前的機器全面投入生產，導致其領先優勢被臺積電超越。 在生產初期，Intel曾因先前那些EUV機型的可靠性問題而遇到挫折。

不過Carson表示，ASML的高數值孔徑（High-NA EUV）極紫光刻機在初步測試中的可靠性大約是前一代機器的兩倍，“我們能以一致速度生產晶圓，這對平臺是一大幫助”。

同時，新的光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作，從而節省時間和成本。 Carson指出，Intel工廠的早期結果顯示，高數值孔徑（High-NA EUV）極紫光刻機只需要一次曝光和個位數的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處理步驟的工作。

去年2月份，ASML首次在其荷蘭總部向媒體公開展示了最新一代的High NA EUV光刻機。

據悉，一套High NA EUV光刻機的大小等同於一臺雙層巴士，重量更高達150噸，組裝起來比卡車還大，需要被分裝在250個單獨的板條箱中進行運輸。

裝機時間預計需要250名工程人員、歷時6個月才能安裝完成。

根據爆料顯示，High NA EUV的售價高達3.5億歐元一臺，約合人民幣27億元，它將成爲全球三大晶圓製造廠實現2nm以下先進製程大規模量產的必備武器。

2023年12月，Intel率先拿下了全球首臺High NA EUV光刻機，臺積電和三星訂購High NA EUV預計最快2026年到貨。

公開資料顯示，NA數值孔徑是光刻機光學系統的重要指標，直接決定了光刻的實際分辨率，以及最高能達到的工藝節點。

一般來說，金屬間距縮小到30nm以下之後，也就是對應的工藝節點超越5nm，低數值孔徑光刻機的分辨率就不夠了，只能使用EUV雙重曝光或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助。

這樣不但會大大增加成本，還會降低良品率。因此，更高數值孔徑成爲必需。

Intel表示，計劃使用High NA EUV光刻機來協助開發其18A製程，該技術預計今年稍晚時隨着新一代PC芯片進入量產。

此外，Intel計劃在下一代14A製程中全面導入這款設備，但尚未公佈該技術量產時間。