10月25日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱：鎵仁半導體）宣佈在氧化鎵晶體生長領域取得了新的技術突破。該公司基於自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備，並採用垂直布里奇曼法（VB），成功生長出2英寸的氧化鎵單晶，這是國內首次實現此項技術突破。

VB法的優勢分析

VB法在氧化鎵襯底製造領域展現出顯著優勢，正在被全球領先的氧化鎵製造商廣泛採用。VB法相比傳統方法有以下四大優勢：

成本優勢：VB法無需使用昂貴的銥坩堝，成本最多可降至傳統生長方法的1/50。

質量提升：VB法在空氣氣氛下生長單晶，有效抑制氧化鎵的高溫分解，減少因坩堝腐蝕而導致的晶體缺陷。

晶體質量：VB法溫度梯度較小，減少了因熱應力引起的位錯，使得晶體質量更高。

自動化與穩定性：VB法不需控制晶體直徑，降低了技術難度，且具有高穩定性，便於實現自動化控制。

鎵仁半導體自研VB設備的優勢

今年9月，鎵仁半導體推出了全新的氧化鎵專用晶體生長設備，不僅能夠滿足高溫和高氧環境的需求，還實現了全自動化的晶體生長，減少了人工干預，大幅提升了生產效率和晶體質量。該設備支持多種不同晶面的單晶氧化鎵生產，具備從2英寸升級至4英寸單晶的能力，以適應外延技術和器件需求的不斷提升，爲高校、科研機構及企業用戶提供科研和生產支持。

打破技術封鎖，支撐國家重大需求

鎵仁半導體的這一技術突破，不僅打破了西方國家在氧化鎵設備和材料領域的技術封鎖，還爲我國的重大需求提供了有力支撐。公司將持續創新，致力於完善氧化鎵產業鏈，爲中國半導體行業的自主發展提供堅實保障。

鎵仁半導體表示，將繼續致力於氧化鎵技術的研發和應用，爲我國在新材料和半導體產業的發展提供高質量的產品和技術支持。這一突破對我國半導體產業鏈的完整性和自主創新能力具有重要意義，爲未來的發展奠定了堅實基礎。

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（轉自：第三代半導體產業）

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