文｜半導體產業縱橫

SK海力士今年第三季度營收爲17.5731萬億韓元創歷史新高，同比大增94%。

今日，SK海力士發佈截至2024年9月30日的2024財年第三季度財務報告。

財報顯示，SK海力士今年第三季度營收爲17.5731萬億韓元創歷史新高，同比大增94%，比今年第二季度創下的16.4233萬億韓元的紀錄高出1萬億韓元以上。

營業利潤爲7.03萬億韓元，超過市場普遍預期的6.8萬億韓元，去年同期虧損1.8萬億韓元。淨利潤爲5.7534萬億韓元，淨利潤率爲33%。

營業利潤和淨利潤也遠超2018年第三季度半導體超級熱潮時期的6.4724萬億韓元和4.6922萬億韓元的紀錄。

SK海力士表示：“面向AI的存儲器需求以數據中心客戶爲主持續表現強勢，公司順應這一趨勢擴大HBM、eSSD（企業級固態硬盤）等高附加值產品的銷售，取得公司成立以來最大規模的季度收入。尤其是HBM銷售額大幅增長，實現環比增長70%以上、同比增長330%以上。”

由於利潤豐厚的高端產品銷量增加，DRAM和NAND的平均銷售價格（ASP）較上一季度均上漲10%左右，使公司營業利潤創下最高紀錄。

今年以來HBM、eSSD等面向AI的存儲器需求顯著增長，公司展望明年也將持續此增長趨勢，因爲生成式AI以多模態（Multi Modal）的形式繼續發展，全球科技巨頭企業持續投資於通用人工智能（AGI）的研發。

SK海力士還預測，隨着針對每種設備優化的AI存儲器的發佈，與AI服務器存儲器相比，需求恢復緩慢的個人電腦和移動產品市場明年也將呈現穩定的增長道路。

因此，該公司將基於其在AI內存領域的世界領先技術，繼續通過增加以高附加值產品爲中心的銷售來提高盈利能力。

在DRAM方面，公司正在從現有的HBM3迅速轉換至8層HBM3E產品，而且上個月開始量產的12層HBM3E產品按原定計劃將在今年第四季度開始供貨。由此，在第三季度DRAM總銷售額中佔據30%的HBM比重預計在今年第四季度達到40%。

在NAND閃存方面，該公司計劃擴大市場需求快速增長的大容量eSSD的銷售，同時注重投資效率和生產優化。

SK海力士財務擔當副社長（CFO）金祐賢表示：“SK海力士在今年第三季度取得公司成立以來最大規模的經營業績，鞏固面向AI的存儲器市場領先企業的地位。公司將根據市場需求實行靈活的產品與供應戰略，確保穩定收入的同時，實現盈利能力的最大化。”

據悉，今年以來，SK海力士股價累計上漲逾35%，原因是該公司在設計和供應爲英偉達人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內存方面擴大了對三星電子和美光科技的領先優勢。

如今隨着AI需求飆升，SK海力士加快HBM路線圖步伐。SK海力士今年早些時候在一次行業活動中表示，它可能會在2025年率先推出下一代HBM4。之後，SK海力士高級副總裁Ilsup Jin負責該公司的DRAM和NAND技術開發，他在安特衛普舉行的ITF World大會上再次表示，該公司的下一代HBM4可能會比預期提前上市。

SemiAnalysis公司首席分析師Dylan Patel表示SK海力士在HBM市場份額領先，HBM3市場份額超過85%，整體HBM市場份額超過70%。全球研發機構imec的CMOS技術高級副總裁Sri Samavedam表示，預計競爭將更加激烈。

“SK海力士是較早採用這種技術的廠商，而且他們已經走在了前面。”Samavedam表示，“美光也不甘落後。他們去年推出了一些非常有競爭力的HBM產品，今年也推出了HBM3E產品。”

不過，HBM的供應依舊是AI模型和服務擴展的潛在障礙。“這已經成爲一個問題，”Samavedam說，“全球只剩下SK海力士、三星和美光三家DRAM製造商。HBM也需要先進封裝。你需要中介層，但能做到這一點的公司並不多。從本質上講，臺積電在HBM的襯底上晶圓上芯片(CoWoS)封裝和中介層方面佔據主導地位。下一步，我們希望英特爾代工廠能在先進封裝領域加強競爭。”

爲了應對市場需求的增長，三星、SK海力士和美光均採取了積極的擴產措施。三星正逐步升級其南韓廠區，以生產DDR5和HBM產品；SK海力士則擴大M16產線，並升級M14產線以供應高端產品；美光則在日本廣島廠提升產能，並計劃引入EUV製程，以進一步提升競爭力。

展望未來，全球三大廠的HBM投片量將保持連續兩年的高增長態勢，預計到2025年底，全球HBM總投片量將達到每月54萬片的規模。這一擴產潮不僅將滿足日益增長的市場需求，也將推動HBM技術的進一步發展。