氮化鎵射頻電子器件憑藉其高功率、高頻率和高效率的特性，在無線通信、新能源汽車和光通信等領域展現出巨大的應用潛力。近日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

分會現場

論壇期間，由國家5G中高頻器件創新中心/深圳市匯芯通信技術有限公司，北京國聯萬衆半導體科技有限公司，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州），蘇州思體爾軟件科技有限公司，北京北方華創微電子裝備有限公司協辦支持的“氮化鎵射頻電子器件與應用”技術分會上，香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創始人俞捷，小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師孫躍，中國科學技術大學微電子學院教授、安徽雲塔電子科技有限公司創始人左成傑，西安電子科技大學教授薛軍帥，國家5G中高頻器件創新中心/深圳市匯芯通信技術有限公司副總經理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導體有限公司研發總監張新川，中國科學院半導體研究所副研究員張連，九峯山實驗室熊鑫，江南大學集成電路學院博士劉濤，中國科學院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告，共同探討氮化鎵射頻電子器件與應用的進展與趨勢。蘇州能訊高能半導體有限公司總裁張乃千，中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻共同主持了分會。

嘉賓主持人

張乃千

蘇州能訊高能半導體有限公司總裁

張韻

中國科學院半導體研究所副所長、研究員

俞捷

香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、

高武半導體（香港）有限公司創始人

香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創始人俞捷做了“賦能未來數據中心和6G網絡的下一代高端節能半導體芯粒”的主題報告，涉及高端生態半導體芯片的High5核心技術，下一代通信市場機遇（2025-2035），企業光和無線通信市場趨勢，GaN充電器和高電源，技術發展路線圖，數據中心互連中下一代光通信的高性能驅動器，6G網絡和衛星通信無線產品，High5半預期產品等內容。

孫躍

小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師

小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師孫躍做了“移動終端射頻功放應用問題探討”的主題報告，涉及移動通信中關鍵發射機特性的演變，手機功率放大器模塊的研製，手機功放在實際應用中的問題，以及基於WBG的移動通信PA的探討等。報告指出，隨着移動通信的快速發展，手機需要高輸出功率、高階信號調製和高頻譜效率。這促使PA設計師開發先進的PA架構和集成封裝模塊。非線性行爲、輸出回退（OBO）效率、堅固性、穩定性和封裝EMI屏蔽在PA器件設計中值得重視。寬禁帶半導體在移動通信領域仍有很大的增長空間。

左成傑

中國科學技術大學微電子學院教授、

安徽雲塔電子科技有限公司創始人

射頻濾波器主導射頻前端市場。中國科學技術大學微電子學院教授、安徽雲塔電子科技有限公司創始人左成傑做了“面向6G和Wi-Fi 7 的高頻和寬帶射頻濾波器”的主題報告，結合目前發展趨勢，分享了相關研究進展與成果。涉及蘭姆波諧振器、耦合SAW諧振器等。

薛軍帥

西安電子科技大學教授

《同質外延氮化鎵射頻電子器件研究進展》

許明偉

國家5G中高頻器件創新中心

/深圳市匯芯通信技術有限公司副總經理、CTO

《FLAB：特色射頻半導體的技術創新模式探索》

張新川

蘇州能訊高能半導體有限公司研發總監

氮化鎵非常適合於製造5G毫米波射頻前端集成。蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁裴軼做了“先進射頻氮化鎵製造中心支持DC-40GHz MMIC代工”的主題報告，6英寸GaN HEMT、高級過程控制、先進的熱解決方案、高功率高效率PA等內容。

張連

中國科學院半導體研究所副研究員

《fT/fmax=10.4/7.1GHz 的藍寶石上AlGaN/GaN異質結雙極晶體管》

熊鑫

九峯山實驗室

九峯山實驗室熊鑫做了“高性能、低成本、小型化集成無源器件技術”的主題報告，分享了集成無源器件IPD技術、九峯山實驗室IPD_PDK技術，基於IPD_PDK設計的超寬帶功分器等內容。報告顯示，基於九峯山實驗室工藝平臺和自研的IPD工藝Flow，開發了IPD的背孔工藝、空氣橋等關鍵工藝，實現IPD無源器件包括電阻、電容、圓形電感、方形電感等器件。3-20 GHz超寬帶功分器採用威爾金森功分器架構，採用三級級聯結構拓展帶寬，電阻採用TFR電阻，JFS IPD_PDK通過功分器、巴倫等電路設計已完成原理圖仿真、版圖EM仿真、調諧優化等功能性驗證，PDK功能完善且使用便捷，設計的無源電路性能突出，該功分器在超寬帶範圍內具有良好的回波損耗與插入損耗，以及隔離度，尺寸爲1.2 mm*3 mm。

劉濤

江南大學集成電路學院博士

江南大學集成電路學院副教授李楊做了“基於氮化鎵肖特基二極管的微波無線能量收集”的主題報告，涉及整流損耗計算、氮化鎵肖特基二極管、氮化鎵微波整流器及其應用等內容。

報告顯示，研究提出了一種用於預測微波整流二極管效率的新型等效電流模型。基於所提模型的分析，並結合氮化鎵二極管的工藝設計，已經設計和製造了多種高性能的氮化鎵肖特基二極管。展示了基於氮化鎵的微波整流器，適用於常見的ISM頻段，包括900 MHz、2.4 GHz和5.8 GHz，並介紹了它們的應用，分別實現了最大整流效率92.3%、91%和80%。特別是，GaN-SBD首次應用於微瓦級整流，在0 dBm和-10 dBm時的效率與現有技術水平相比最高。這展示了氮化鎵材料在微波無線輸電領域巨大的潛力。

張國祥

中國科學院微電子研究所

中國科學院微電子研究所張國祥做了“基於GaN SBD技術的具有快速恢復性能的大功率微波限幅器”的主題報告，分享了GaN SBD技術、GaN SBD MMIC特性等相關研究進展。報告顯示，在不同頻率下，快速恢復時間在100 W下小於39 ns。由於SBD的多數載流子導通機制，該限制器不僅具有設計方法簡單、閾值設計自由度高的優點，而且具有無尖峯泄漏和易於集成的特點。

(根據現場資料整理，僅供參考)

附：IFWS&SSLCHINA2024論壇介紹

2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。來自政、產、學、研、用、資等LED及第三代半導體產業領域國內外知名專家、企業高管、科研院所高校學者，共計2100餘名代表註冊參會。通過大會、16場主題技術分論壇、5場熱點產業峯會、4場強芯沙龍會客廳主題對話、以及第六屆先進半導體技術應用創新展（CASTAS）、POSTER展示交流等多種形式的活動，在近30個專題活動、230餘個主題報告，臺上臺下展開探討，從不同的角度分享前沿技術進展，交流探討，觀點碰撞，探求技術與產業化融合創新與發展之道。

IFWS&SSLCHINA2024論壇上還公佈了“2024年度中國第三代半導體技術十大進展”和“9項 SiC MOSFET測試與可靠性標準”。爲行業發展做出了積極貢獻的企業/單位頒發了2024年度推薦品牌獎。本屆論壇共收到260餘篇論文投稿，論壇與IEEE合作，投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發表。現場展示116篇POSTER海報。經過程序委員會專家，以及參會人的投票，評選出了10篇最佳POSTER獎。在大會閉幕總結儀式現場，現場頒發了最佳POSTER一、二、三等獎及優秀海報獎。

（轉自：第三代半導體產業）

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