12月20日消息，據Cnews報導，俄羅斯已公佈自主研發的光刻機路線圖，目標是打造比ASML 系統更經濟的EUV光刻機。這些光刻機將採用波長爲11.2nm的鐳射光源，而非ASML 使用的標準13.5nm波長。因此，新技術無法與現有EUV 基礎設施相容，需要俄羅斯自行開發配套的曝光生態系統，可能需要數年甚至十年以上時間。

該光刻機開發計劃由俄羅斯科學院微觀結構物理研究所的Nikolay Chkhalo 領導，目標是製造出性能具競爭力且具成本優勢的光刻機。具體來說，俄羅斯將採用11.2nm的氙（xenon）基鐳射光源，取代ASML 的基於激光轟擊金屬錫（tin）液滴產生EUV光源的系統。Chkhalo 表示，11.2nm的波長能將分辨率提升約20%，不僅可以簡化設計並降低光學元件的成本，還能呈現更精細的細節。此外，該設計可減少光學元件的污染，延長收集器和保護膜等關鍵零件的壽命。

俄羅斯曝光機還可使用硅基光阻劑，預期在較短波長下將具備更出色的性能表現。儘管該光刻機的晶圓製造產能僅爲ASML 設備的37%，主要因爲其光源功率僅3.6 千瓦，但也足以應付小規模芯片生產需求。

儘管11.2nm波長仍屬於極端紫外線光（EUV）譜範疇，但這並非單純的小幅調整。因爲所有光學元件包括反射鏡、塗層、光罩設計以及光阻劑，都需要針對新的波長進行特別設計與優化。因此，鐳射光源、光阻化學、污染控制及其他支援技術也須重新設計，才能確保在11.2nm波長下的有效運作。

以11.2nm波長爲基礎的工具很難直接兼容現有以13.5nm爲基礎EUV 架構與生態系統，甚至連電子設計自動化（EDA）工具也需要進行更新。雖然現有EDA 工具仍可完成邏輯合成、佈局和路由等基本步驟，但涉及曝光的關鍵製程，如光罩資料準備、光學鄰近校正（OPC）和分辨率增強技術（RET），則需要重新校準或升級爲適合11.2nm的新制程模型。

據報導，該光刻機的開發工作將分爲三個階段，第一階段將聚焦於基礎研究、關鍵技術辨識與初步元件測試；第二階段將製造每小時可處理60 片200 毫米晶圓的原型機，並整合至國內芯片生產線；第三階段的目標是打造一套可供工廠使用的系統，每小時可處理60 片300 毫米晶圓。目前還不清楚這些新的曝光工具將支援哪些製程技術，路線圖也未提到各階段完成的時間表。

編輯：芯智訊-林子 

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