消息稱三星電子已開建1d DRAM測試線;SK海力士為AI數據中心開發61TB SSD

閃存市場
2024-12-18

【熱點速讀】1、消息稱三星電子明年Q1完成10納米級第七代DRAM測試線2、SK海力士發佈適用於AI數據中心的61TB SSD,明年Q3將推出122TB3、韓美半導體推出新一代 HBM 生產設備4、閃迪2025年初正式啓用全新商標5、聯發科新一代天璣芯片即將發佈,預計爲天璣8400全大核處理器1、消息稱三星電子明年Q1完成10納米級第七代DRAM測試線據業界消息,三星電子從今年第四季度開始在平澤...

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