來源：源媒匯

作者 | 胡青木

12月18日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司發佈了關於刊發H股招股說明書、H 股發行價格區間及H股香港公開發售等事宜的公告，標誌着這一氮化鎵龍頭企業的赴港上市之路又向前邁出了堅實的一步。作爲行業內首個實現8英寸硅基氮化鎵晶圓大規模生產的公司，英諾賽科此次上市備受業界關注。

英諾賽科專注於氮化鎵功率器件的創新研發、生產製造和市場銷售，並提供全面的技術解決方案。公司的產品線覆蓋汽車電子、數據中心、消費電子等多個高端應用領域，體現了氮化鎵作爲第三代半導體材料在功率電子和射頻技術領域的革命性優勢，包括其高功率密度、低損耗和廣泛的適用性。據弗若斯特沙利文數據顯示，2023年全球氮化鎵功率半導體器件市場規模達到18億元人民幣，同時，沙利文預測，後續將以98.5%的複合年增長率加速增長，由2024年的32.28億元人民幣增長至2028年的501.42億元人民幣。

這一增長趨勢得益於氮化鎵在各前沿領域日益增長的高頻大功率需求，未來隨着生產工藝的成熟和規模化生產的推廣，氮化鎵的普及率將進一步提升，推動整個產業鏈的進步。

在財務表現方面，儘管英諾賽科目前尚未實現扭虧，但公司的盈利能力正在顯著改善。2024年上半年，公司淨虧損額約爲4.88億元人民幣，較去年同期減少了15.8%，顯示出公司財務狀況的穩步好轉。同時，公司在過去幾年中營收增長迅猛，從2021年的6820萬元增長至2023年的5.93億元，漲幅超7倍。

據市場消息透露，英諾賽科此次赴港上市，預計籌集資金在1.5億至2億美元之間，募集到的這筆資金將主要用於擴大產能、研發及擴大產品組合、分銷網絡擴展和補充營運資金等。

隨着上市進程的推進，英諾賽科預計將藉助資本市場的東風，開啓新的增長週期，併爲公司的持續發展和行業創新打下堅實的基礎。

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