中國財富網訊近日，在深圳舉辦的行家說第三代半導體年會——碳化硅&氮化鎵產業高峯論壇上，數百家企業代表齊聚一堂，共同探討和見證第三代半導體產業的蓬勃發展。當天的頒獎典禮上，英諾賽科憑藉在氮化鎵功率半導體領域的卓越貢獻和創新實力，榮獲“第三代半導體年度標杆領軍企業”等三項榮譽，這也是英諾賽科連續第三年獲得該獎項的認可。

英諾賽科斬獲三項殊榮

　　“行家極光獎”作爲行業內極具影響力的獎項，由行家說創辦並每年舉辦一屆，旨在表彰在碳化硅和氮化鎵領域持續進行技術創新、推動產業進步的企業。本次頒獎典禮特別設立了“十強企業榜單”“年度企業”和“年度優秀產品”三大獎項，以樹立行業標杆，提升企業品牌認知度和影響力，爲行業發展注入更多創新力和推動力。

　　在此次頒獎典禮上，英諾賽科憑藉先進的氮化鎵技術和卓越的市場開拓能力，被評爲“第三代半導體年度標杆領軍企業”和“中國氮化鎵十強企業”。這兩項榮譽的獲得，不僅是對英諾賽科在氮化鎵領域創新成果的肯定，更是對其在推動第三代半導體產業發展方面所做貢獻的認可。

　　除了企業榮譽外，英諾賽科的40V車規級產品INN040FQ045A-Q也榮獲了“年度影響力產品”獎。該產品是英諾賽科基於40V車規平臺開發的一款超小封裝的氮化鎵車規芯片，已通過AEC-Q101車規級認證。該芯片具備小體積、低損耗、高頻高功率的優點，是繼車載激光雷達之後第二款打入車規前裝市場的氮化鎵芯片，爲新能源汽車的智能化、便捷化提供了有力支持。

　　英諾賽科表示，未來將繼續秉持創新理念，不斷增強產品競爭力，與合作伙伴攜手共進，爲第三代半導體產業的發展貢獻更多力量。

（文章來源：中國財富網）