12月30日，全球氮化鎵功率半導體龍頭英諾賽科不負衆望，在港股成功上市。

　　英諾賽科成立於2017年，是全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，也是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。

　　在技術水平的不斷提升與努力創新下，英諾賽科近年來發展迅速，產品應用拓寬至多個行業。作爲氮化鎵功率半導體領域的龍頭企業，英諾賽科此次成功登陸資本市場，有望進一步提升其在全球氮化鎵市場的地位。

　　市場定位準確、IDM模式成就產業龍頭 專注研發創新引領行業進步

　　立足於第三代半導體賽道，英諾賽科成立短短數年，便實現了收入規模的飛速增長。據招股書顯示，2021-2024上半年英諾賽科實現營業收入分別爲0.68億元、1.36億元、5.93億元、3.86億元，2022年以來分別同比增長99.6%、335.3%、25.2%。近年來連翻數倍的營收表現，標誌着英諾賽科具備準確的市場定位與成熟的商業化模式。值得關注的是， 2023年，以折算氮化鎵分立器件出貨量計，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中市場份額排名第一，市佔率高達42.4%。同時，截至2024年6月30日，以折算氮化鎵分立器件計，公司氮化鎵分立器件累計出貨量超過8.5億顆，進一步鞏固了其行業領導地位。

　　而在生產模式方面，英諾賽科採用的是集成器件製造商（IDM）模式，藉此可自行把控由製成品設計、製造、包裝、測試到銷售的整個流程。全球前五大功率半導體公司均採用IDM模式，這一生產模式可以確保公司功率半導體產品質量的同時，也提供穩定的產能，通過迭代設計及工藝改進促進創新，同時也支持成本效益的規模擴張，讓英諾賽科相比競爭對手具有明顯先發優勢。

　　由此來看，IDM模式更爲迎合當下的產業需求，但也對公司的成本投入帶來了較高的門檻。IDM模式需要公司在產能提升階段投入大量資本及研發支出，但IDM模式在氮化鎵功率半導體行業的長遠優勢遠超過初始成本。

　　伴隨着商業化進程，虧損規模已經明顯收窄，從2021年的33.99億元減少至2023年的11.02億元，而2024上半年則進一步降至4.88億元。更何況，虧損也主要源自實現規模經濟之前生產設備的折舊、研發、營銷開支等爲長期盈利鋪路的項目等。由此可見，公司的盈利能力已顯著改善。

　　更值得關注的是，除了準確的市場定位之外，一直以來英諾賽科也非常注重技術投入、研發創新，不斷迭代完善技術平臺，其氮化鎵功率半導體產品在多個行業實現了廣泛應用，包括消費電子產品、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心等。例如，在消費電子產品領域，英諾賽科的半導體產品能夠顯著提高各種消費電子產品的性能及效率、縮小尺寸，爲消費者帶來更便捷的體驗；而在汽車電子領域，2021年英諾賽科就獲得了IATF 16949車規級認證，其產品能夠爲自動駕駛車輛的LiDAR系統提供高功率和快速反應能力，實現更有效的汽車安全監測和更好的自動駕駛體驗。

　　在這背後，是英諾賽科始終不吝研發投入，近三年半時間累計研發投入超17億元，截至2024上半年擁有304名研發人員，其中大部分是半導體行業的資深人士，在技術及材料創新方面擁有深厚專業知識。截至2024年6月30日，英諾賽科在全球有約319項專利及430項專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。在強大資源的帶動下，英諾賽科每一代新的技術平臺都會帶來30%的產品性能提升和生產成本降低，包括產品關鍵性能指標的提升，產品現已從消費級邁向工業級，逐步向車規級邁進。

　　以收入計全球第一市場份額33.7% 知名半導體巨頭、地方產業基金助陣

　　英諾賽科的業務方向從根本上決定了其未來發展的潛力，在如今高速發展的高算力時代，如何優化能源使用效率成爲關鍵。

　　與傳統的硅基器件相比，氮化鎵具有帶隙寬、電子遷移率高、開關頻率高、導通電阻低、耐高壓及耐高溫能力更強等綜合優勢。更寬的帶隙使氮化鎵能夠在更高的電壓下運作，而更高的電子遷移率可增強電流驅動能力及反應速度，顯著減少了熱散失並提高了功率效率。在如今AI時代催生巨量算力需求的背景下，更高頻、高效、綠色節能的氮化鎵無疑將成爲功率半導體未來行業變革的核心。

　　根據弗若斯特沙利文的數據，2023年，氮化鎵功率半導體的市場規模爲人民幣18億元，佔全球功率半導體市場的0.5%，伴隨着技術的愈發成熟以及下游應用範圍更加廣泛，2023年被視爲氮化鎵行業錄得指數級增長的開局之年。預計到2028年，全球氮化鎵功率半導體的市場規模將達人民幣501億元，將佔據市場份額的10.1%。

　　不僅行業本身極具前景，英諾賽科也已經在賽道中佔據領先優勢。根據弗若斯特沙利文的數據顯示，2023年英諾賽科來自氮化鎵功率半導體業務的收入爲5.93億元，在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名首位，市場份額達33.7%，而同期前五大公司的市場份額合計爲92.8%。更何況，英諾賽科還是全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。

　　賽道前列的稀缺標的，自然廣受資本追捧。

　　上市之前，英諾賽科在一級市場上就備受資本熱捧，各路公司、機構及企業家的爭相加入，是英諾賽科極具投資價值的有力證明。2017年公司成立以來，英諾賽科獲得過5輪融資，背後集結了朗瑪峯創投、招銀國際、華業天成、中天匯富、毅達資本等知名機構，僅D輪融資款項就接近30億元。同時，英諾賽科還曾在2021年獲得過寧德時代董事長曾毓羣個人名義的2億元投資，而這也是曾毓羣首次以個人身份投資半導體公司。E輪融資後，英諾賽科的估值達300億港元。

　　而在上市前夕，英諾賽科還引入了4大基石投資者，分別是STMicroelectronics Limited（意法半導體子公司）、江蘇國企混改基金、蘇州高端裝備、東方創聯，分別認購了5000萬美元、2500萬美元、1250萬美元、1250萬美元。來自全球知名半導體巨頭與國家地方產業基金的支持，爲英諾賽科登陸港股市場帶來了更大信心。

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責任編輯：公司觀察