正如之前外界所傳聞的那樣，當地時間1月15日，美國聯邦公報官網發佈公告稱，美國商務部工業與安全局（BIS）宣佈修訂出口管理法規（EAR），要求提供與高級計算集成電路（IC）相關的更多盡職調查程序，旨在保護美國國家安全，同時協助前端半導體制造工廠和外包半導體封裝與測試（OSAT）公司在遵守EAR供應鏈相關規定時更有效。

總結來說，該出口管制新規是基於之前的半導體出口管制措施基礎上的進一步修正和升級，其限制的核心還是限制對華出口面向數據中心應用的高性能邏輯芯片，這次的重點是限制海外晶圓代工廠和先進封裝廠爲中國企業代工和封裝基於16/14納米及以下先進製程的，並超過特定晶體管數量限制的邏輯芯片。

其最新的限制規則如下：

使用“16/14納米節點”或以下先進製程，或使用非平面晶體管架構生產的任何邏輯IC，並且其封裝內“聚合近似晶體管計數”超過限制的管數量（如出口、再出口或國內轉讓年份所規定）的物品，或者如上所述，“前端製造商”或“OSAT”（外包半導體封裝和測試）公司無法確認最終包裝物品的“聚合近似晶體管計數”，則假定該物品爲3A090.a規則下的數據中心產品。

除非滿足以下三個條件：

（a）最終封裝IC的“聚合近似晶體管數量”低於300億個晶體管，或

（b）最終封裝的IC不包含高帶寬存儲器（HBM），並且最終封裝的集成電路的“聚合估計晶體管數量”在2027年完成的任何出口、再出口或轉移（國內）中低於350億個晶體管；或

（c）2029年或之後完成的任何出口、再出口或轉讓（國內）400億個晶體管，則這克服了ECCN 3A090.a中規定的IC的假設。

也就是說，一款芯片如果其採用了16/14納米節點及以下先進製程，並且其最終封裝內，包含有300億個或更多的晶體管，將會受到限制。相關的前端芯片製造商和OSAT公司將被禁止對華出口此類芯片。由於芯片技術在持續的向前發展，因此，對於晶體管數量的限制會隨着時間的推移而逐步放寬，到2027將晶體管數量將放寬至350億個以內，到2029年或之後的則進一步放寬至400億個以內。

同時，BIS還創建兩個新的實體列表：一個是經批准的IC設計實體，包括蘋果、英特爾、AMD、高通聯發科等，這些企業設計的芯片將不會受到額外限制；一個是經批准的“OSAT”公司，包括臺積電、三星、Amkor、日月光等，這些公司關於最終封裝產品的“聚合近似晶體管計數”的證明，可用於克服ECCN 3A090.a註釋1中的假設，即“適用的高級邏輯集成電路”是3A090.a限制的數據中心產品。

此外，該新規還修訂DRAM“高級節點集成電路”的定義，將存儲單元面積從“小於0.0019µm2”修改爲“小於0.0026µm2”，並將存儲密度從“大於0.288千兆位/平方毫米”修訂爲“大於0.20千兆位每平方毫米”。此外，該規則增加了“每個管芯超過3000個硅通孔”的參數，以確保捕獲根據該定義要捕獲的所有DRAM IC，從而取代了之前18nm納米（nm）半間距標準的限制。

該規則修訂了2024年12月2日發佈的“外國生產直接產品規則（FDP IFR）”部分內容，對高級計算和半導體制造項目的管控進行完善和澄清，並將書面評論的截止日期延長至2025年3月14日。

該規則將在《聯邦公報》發佈之日生效。儘管規則立即生效，出口商、再出口商以及本地轉讓者需在發佈15天后開始遵守新要求。合規日期僅適用於本規則修訂的EAR文本，不影響此前已經生效的內容。

以下爲該規則的內容（有刪減）：

一. 背景

2022年10月7日，BIS發佈了一系列規則中的第一條，這些規則限制了中國和其他有關國家獲得某些先進計算IC（即超過規定性能閾值的IC）和相關物品的能力（10月7號IFR）。2022年10月7日IFR和後續相關規則中的控制措施旨在防止中國和其他地方的惡意國家和非國家行爲者獲得可用於威脅美國國家安全和外交政策目標的關鍵技術。

今天，通過這個IFR，BIS正在更新EAR，以提高這些控制的有效性。該IFR旨在解決公衆對2022年10月7日IFR控制和後續相關規則的共同要求，即就如何進行盡職調查以確認IC不超過EAR控制中規定的性能閾值提供更詳細的指導。特別是，該IFR側重於爲“前端製造商”提供客觀、明確的規則，旨在幫助更好地識別有可能以違反美國國家安全和外交政策利益的方式轉移的交易；加強盡職調查程序，以確保新客戶在提供可能符合先進計算控制水平的IC之前，經過“前端製造商”的適當審查；以及改進涉及可能構成更高轉移風險的新客戶的交易報告。

2022年10月7日，美國工業與安全局（BIS）首次頒佈一系列規則，限制中華人民共和國（PRC）及其他關注國家獲取某些先進計算集成電路（IC）（即超出特定性能閾值的IC）及相關項目。這些規則旨在防止惡意國家和非國家行爲體獲得可威脅美國國家安全與外交政策目標的關鍵技術。

爲增強上述規則的效果，本次修訂對相關控制進行了改進。這次更新回應了公衆針對2022年10月7日法規及隨後規則提出的意見，特別是在如何確認IC性能未超出管控閾值方面，提出了更詳細的盡職調查指導。

A、半導體是中國技術野心的核心

中國尋求利用先進的計算IC和超級計算能力開發和部署先進的計算系統和人工智能（AI）模型，以進一步實現超越美國及其盟友的軍事能力的目標。先進或前沿的人工智能能力，如大型人工智能基礎模型，可以改進大規模殺傷性武器（WMD）、自主武器和先進常規武器的設計和執行。這些人工智能模型輔助的軍事決策可以提高速度、準確性、計劃和後勤。由於需要高處理能力，開發這些功能需要先進的計算IC。在中國人工智能模型的開發和部署中使用先進的計算IC，將進一步實現中國超越美國及其盟友的軍事能力的目標。

中國“正在迅速擴大和提高其人工智能（AI）和大數據分析能力，這可能會擴展到國內使用之外”，包括出口其數字威權生態系統以協助監視，並促進其在海外的影響。

B、對先進計算集成電路的出口管制

2022年10月7日，BIS發佈了IFR，“實施額外出口管制：某些先進計算和半導體制造項目；超級計算機和半導體最終用途；實體清單修改”（2022年10月7號IFR），該IFR修訂了EAR，對某些IC、含有此類IC的計算機商品和某些半導體制造項目實施管制，並對EAR進行了其他更改，以實施適當的相關管制，包括對某些“美國人”活動。BIS確定，先進的計算IC和相關計算項目——其中許多源自美國或使用美國技術、軟件或工具生產——可以使中國發展某些增強的數據處理和分析能力，包括通過人工智能應用，因爲先進計算IC和相關計算項目的高處理能力。

具體而言，10月7日的IFR要求向中國出口或再出口超過一定性能閾值的集成電路和相關物品（例如，出口管制分類號（ECCN）3A090中規定的物品）需要許可證，這些物品是受EAR約束的某些技術或軟件的“直接產品”，或者是由作爲此類技術或軟件直接產品的工廠或工廠主要部件生產的。該規則還對向實體清單上的某些實體出口任何受《出口管理條例》約束的物品提出了許可證要求，這些物品是受《出口管制條例》約束某些技術或軟件的“直接產品”，或者是由工廠或工廠的主要部件生產的，而工廠或工廠是此類技術或軟件直接產品。這一要求極大地限制了中國對“先進節點集成電路（IC）”的訪問，因爲生產“先進節點IC”需要美國的技術、軟件和工具。如果不使用美國的技術、軟件和工具，超過10月7日IFR中設定的先進計算IC的控制閾值將極具挑戰性，因此控制這些項目大大降低了中國自主生產先進計算集成電路的能力。

2023年10月25日，BIS更新了10月7日IFR實施的控制措施，以應對技術進步並確保控制措施保持有效。特別是，BIS瞭解到，某些額外的IC可以提供與10月7日IFR中控制的IC幾乎相當的AI模型訓練能力，因此進一步限制了這些IC。因此，IFR“實施額外的出口管制：某些先進計算項目；超級計算機和半導體最終用途；更新和更正”（AC/S IFR）（88 FR 734582023年10月25日）調整了對先進計算和人工智能應用至關重要的先進計算集成電路的參數，並採取了新的措施來解決規避管制的風險，包括將先進計算集成芯片的許可證要求擴大到適用於D:1、D:4和D:5國家組。

除了對中國和其他地方的先進計算IC和相關項目（如ECCN 3A090中規定的項目）實施許可要求外，BIS還通過AC/S IFR提供了指導，以幫助確保半導體代工廠不會無意中違反基於性能閾值的控制。

具體而言，AC/S IFR通過將13家參與先進計算IC開發的中國實體添加到實體清單中，對其施加了許可要求，包括涉及根據§734.9（e）（2）（腳註4）受EAR約束的外國生產物品的交易。

此外，AC/S IFR提供了額外的危險信號和盡職調查要求，以幫助“前端製造商”（即由另一方設計的IC製造商）確定IC設計是否符合規定的性能閾值，從而在運往相關國家時需要許可證。這些旨在協助“前端製造商”評估IC設計師提供的有關IC性能能力的信息，並評估外國方面是否試圖通過非法制造受限IC來規避控制。特別是，“Red Flag”（紅旗法案）爲先進集成電路的生產商提供了特定的因素，以識別潛在的先進計算集成電路，而不管客戶對產品技術參數的斷言如何。

具體而言，如果將生產的物品是集成電路、計算機、“電子組件”或包含500多億個晶體管和高帶寬存儲器（HBM）的“組件”，它就會發出一個危險信號，表明根據《出口管理條例》很可能需要許可證。根據BIS的標準做法，出口商、再出口商或轉讓人（國內）需要調查情況和詢問最終用途、最終用戶或最終目的地國家以解決紅旗問題。如果該問題沒有得到充分解決，那麼出口商、再出口商或轉讓人（國內）應向BIS提交諮詢意見請求或向BIS提出許可證申請，尋求BIS的指導。

2024年12月2日，BIS發佈了另一份IFR，“外國生產的直接產品規則增加，以及對先進計算和半導體制造項目控制的改進”（FDP IFR），對某些先進計算項目、超級計算機和半導體制造設備的EAR控制進行了更改，其中包括對某些半導體制造設備和相關項目增加新的控制，爲某些商品制定新的外國直接產品（FDP）規則，以削弱某些目的地或相關實體生產“先進節點IC”的能力，對某些對先進計算很重要的高帶寬存儲器（HBM）增加新的管制，並澄清對允許使用項目的某些軟件密鑰的管制。例如軟件工具。

FDP IFR與另一項BIS最終規則同時發佈，該規則題爲“實體清單的增加和修改；以及從驗證的最終用戶（VEU）計劃中刪除”（實體清單規則）（89 FR 96830 2024年12月5日），該規則增加並修改了實體清單，以確保對某些關鍵技術實施適當的EAR控制，並儘量減少轉移到相關實體的風險。

2025年1月13日，BIS提交了一項與該IFR相關的規則，即“人工智能擴散框架”IFR（AI擴散IFR），供公衆檢查，該規則對出口、再出口或轉讓（國內）ECCN 3A090.a、4A090.a分類的先進計算IC以及§742.6（a）（6）（iii）（a）中的相關.z項目提出了全球區域穩定（RS）許可證要求，並創建了幾個例外和授權途徑，以促進低轉移風險或以其他方式促進美國國家安全或外交政策利益的交易，包括美國的技術領先地位。

此外，在2025年1月，BIS提交了一份與該IFR相關的最終規則“實體清單的補充”（鑄造實體清單規則）供公衆查閱，該規則修訂了EAR，在實體清單中增加了16個實體，包括中國（14）和新加坡（2）的目的地下。

C、與“適用的先進邏輯集成電路（IC）”相關的額外控制的國家安全基礎

2022年10月7日IFR實施後，BIS繼續研究和評估其控制措施在保護美國國家安全和外交政策利益方面的有效性。爲此，BIS依靠開源報告、公衆評論、行業分析以及美國政府可用的其他信息來源。在過去的一年裏，國際清算銀行確定有必要對現有的控制措施進行修改。

BIS評估認爲，相關實體清單條目、紅旗要求和技術指導並沒有完全確保爲IC設計人員生產IC的代工廠和IC供應鏈中的其他相關公司能夠明確確定這些IC是否符合或超過ECCN 3A090控制參數。

如上所述，EAR提供了一系列紅旗指標，代工廠可以使用這些指標來評估IC的性能水平。然而，BIS評估稱，試圖將符合ECCN 3A090控制參數的IC轉移到未經授權的最終用途和最終用戶的實體可能會歪曲其IC的性能，使鑄造廠難以充分驗證此類產品的性能。首先，BIS已經評估，晶體管數量低於當前紅旗19（500億晶體管數量）規定的IC可以達到ECCN 3A090規定的性能閾值。因此，紅旗指標沒有爲收到晶體管數量低於500億的IC訂單的代工廠提供任何指導，以驗證客戶對這些IC是否屬於ECCN 3A090的斷言。

此外，評估IC性能的這些技術挑戰可能出現在IC生產過程的多個階段。如果代工廠不控制IC的最終封裝，IC有被轉移的風險，後來被封裝成超過ECCN 3A090中規定的性能閾值的產品。例如，客戶可以要求晶體管計數剛好低於當前晶體管計數紅旗閾值的IC，並與OSAT公司簽訂合同，將該IC整合到超過ECCN 3A090中規定的性能閾值的封裝產品中。評估IC最終性能能力的這些挑戰增加了鑄造廠無法發現第三方逃避BIS控制的風險。

即使在鑄造廠通過封裝和測試保持對晶圓的控制的情況下，BIS也發現了確保符合先進計算IC控制的挑戰。BIS瞭解到，合同安排可能會禁止代工廠分析某些商業機密信息（例如設計文件），這些信息將使IC的最終使用和性能能力更加清晰。此外，基於設計文件評估IC的性能可能具有挑戰性。這種對IC性能缺乏可見性意味着此類IC可能會超過ECCN 3A090性能閾值，並最終被轉移到中國和其他國家安全問題目的地或被禁止的實體，用於先進的人工智能應用。因此，BIS評估稱，通過可驗證的技術指標，如節點（可由代工廠立即驗證）和晶體管計數（可通過代工廠和OSAT之間的通信驗證），控制將更有效。

IC設計者可能歪曲符合ECCN 3A090控制參數的“適用高級邏輯IC”的ECCN，並將這些IC轉移到未經授權的最終用途或最終用戶的風險不是假設的。BIS觀察到，中國實體和其他實體通過中介機構和/或空殼公司持續努力逃避對“高級計算IC”的控制，以及通過實體清單施加的限制。開源報告描述了中國公司使用外國子公司或其他方式購買受EAR控制的IC。爲了應對這些努力，以及中國境內外（包括EAR中規定的香港和澳門特別行政區）尋求通過轉運、轉移和訪問世界各地目的地具有先進計算IC的數據中心來獲取先進計算IC，AC/S IFR和AI Diffusion IFR擴大了出口、再出口或轉讓（國內）先進計算IC所需許可證的目的地範圍。

儘管BIS的控制措施是有效的，但它們並沒有完全阻止先進計算IC轉移到中國和其他受關注的目的地和實體。因此，BIS已確定，有必要對這些集成電路進行進一步限制，以確保先進的計算集成電路只出口給轉移到受限制實體的風險較低的客戶。雖然某些IC設計人員和/或OSAT在遵守出口管制方面有着悠久的歷史，但需要更多的保障措施來確保中國和其他實體無法通過從第三方轉移來訪問先進的計算IC。

爲此，該IFR對“前端製造商”以及“OSAT”公司提出了更廣泛的許可要求，尋求根據ECCN 3A090.a向全球任何目的地出口、再出口或轉讓（在國內）某些“適用的先進邏輯集成電路”（見EAR§742.6（a）（6）（iii）（a），與新的註釋1至3A090結合使用），除非通過註釋1至3A-090第a.至c.段中概述的三種方式中的任何一種克服許可證要求。爲了排除在這一擴大範圍內可能捕獲的大量低風險交易，該規則提供了三種方法來克服許可證要求，並創建了可靠來源清單來驗證“適用的高級邏輯IC”：

（i） 經批准的IC設計者（列於第740部分補充6中），

（ii）經批准的“OSAT”公司（列於第740部分第7號補充文件中），以及

（iii）根據3A090.A註釋1中的標準識別授權IC設計者的方法。

經批准的上市實體是指向BIS提交請求以添加到名單中，並通過最終用戶審查委員會（ERC）批准添加到相關名單中的實體。（關於§748.16（a）（4）和第III.B節中規定的做出此類決定所使用的標準的描述，請參見第III.D節）。

授權IC設計實體是指符合新注1至3A090.a標準的IC設計實體。在2026年4月13日之前，授權IC設計實體包括總部位於中國臺灣地區或國家組a:1或a:5中指定的目的地的所有IC設計實體，這些設計實體既不位於也沒有最終母公司總部位於中國澳門或國家組D:5（EAR第740部分第1號補充文件）中指定的目標地；並且已同意向“前端製造商”提交§743.9（b）中所述的適用信息，“前端製造商“必須向BIS報告。2026年4月13日之後，授權IC設計實體包括任何既符合這些標準又提交了成爲批准IC設計師申請的IC設計師。然而，2026年4月13日之後被視爲授權IC設計實體的任何公司，在提交成爲批准IC設計實體的申請180天后，將不再是授權IC設計實體。

該規則還修改了許可證例外人工智能授權（AIA）和先進計算製造（ACM），以便某些例外僅適用於由經批准的IC設計師設計的項目，這些設計師可能會準確報告他們要求先進代工廠製造的項目的ECCN。

二、本暫行最終規則概述

在本IFR中，BIS對EAR控制進行了七類更改。本IFR實施的六類變更在第三節中描述如下：

A.修訂許可證例外AIA和ACM；

B.第740部分的第6和第7號新補充，包括批准的IC設計師和批准的“OSAT”公司的名單，以及指定目的地的授權IC設計師；

C.對爲授權IC生產先進計算IC的“前端製造商”提出新的報告要求，以及新的“瞭解你的客戶”（KYC）審查表；

D.從批准的IC設計者和批准的“OSAT”公司名單中添加、修改和刪除的申請流程；

E.新定義；

F.修訂幼兒保育網，以澄清幼兒保育網3A090的範圍；

G.FDP IFR中對EAR的修訂和澄清

三、 EAR的變化

A.對許可證例外情況的修訂人工智能授權（AIA）和先進計算製造（ACM）

本IFR修訂了兩個許可證例外範圍內的項目：許可證例外AIA（§740.27）和許可證例外ACM（§740.28）。許可證例外AIA授權向位於第740部分第5號補充第（a）段所列目的地內的實體出口、再出口和轉讓（在國內）第（a”（1）和（a）（2）段中確定的物品，除非該實體的總部設在第740部分補充第5號補充第（b）段規定的目的地之外，或其最終母公司的總部設在該目的地之外。同時，根據附加條件，對第（a）（3）段中的某些型號重量進行了擴展授權。

許可證例外ACM授權將符合條件的物品（ECCN 3A090、4A090和相關.z商品、軟件和技術）出口、再出口和轉讓（國內）給位於非國家組D:5中列出的目的地的“私營部門最終用戶”，或中國澳門，前提是其總部不在中國澳門，也沒有總部設在中國澳門的最終母公司或國家組D:5中指定的目的地，如果最終用途是“開發”、“生產”或儲存（在倉庫或其他類似設施中）此類合格物品。

本IFR修訂了許可證例外AIA，增加了對三種符合此例外條件的商品的要求：ECCN 3A090.a；5A002.z.1.a、z.2.a、z.3.a、z.4.a、z.5.a；以及5A992.z.1。這三個ECCN的要求規定，只有當這些ECCN由批准或授權的IC設計師設計時，它們纔有資格獲得此許可證例外，分別如第740部分補充6和ECCN 3A090.a註釋1所述。這一要求旨在確保鑄造廠和其他尋求使用此例外的實體只有在項目由具有低轉移風險的實體設計的情況下才能這樣做。根據ECCN 3A090.a注1的規定，授權IC設計實體是指（i）在中國臺灣地區或國家組a:1或a:5中指定的地點，其總部既不在中國澳門，也沒有最終母公司總部在第740部分第1號補充文件的國家組D:5中指定的地方，以及（ii）其交易需遵守EAR第743.9條中的報告要求。

本IFR同樣修訂了許可證例外ACM。對（b）款進行了修訂，增加了對三種符合此例外條件的商品的要求：ECCNs 3A090.a；5A002.z.1.a、z.2.a、z.3.a、z.4.a、z.5.a；以及5A992.z.1。這三個ECCN的要求規定，只有由經批准或授權的IC設計師設計的ECCN纔有資格獲得此許可證例外，分別如第740部分補充6和ECCN 3A090.a註釋1所述。與許可證例外AIA的新要求一樣，這一要求旨在確保尋求使用許可證例外ACM的鑄造廠和其他實體只有在與轉移風險較低的實體合作時才能這樣做。

這些修訂確保了這三個ECCN的許可證例外ACM和AIA授權僅在由經批准或授權的IC設計師設計時可用，這支持了更安全的供應鏈。EAR仍然要求“前端製造商”對授權和批准的IC設計師進行持續的技術和KYC盡職調查，並將結果報告給BIS。這確保了BIS擁有這些實體的最新信息，使BIS能夠對報告的任何相關信息採取行動。下文將更詳細地討論用於指定授權和批准的IC設計師的因素，但被確定具有強大的出口管制合規歷史並經過美國政府審查的實體可能是值得信賴的IC設計師。此外，這些例外情況適用於總部位於A:1、A:5和中國臺灣的授權IC設計實體設計的物品，這些國家是多邊出口管制制度（例如《常規武器和兩用貨物和技術出口管制瓦森納安排》）的成員國，有權控制關注的關鍵物品，或有動機確保遵守這些額外要求。這些目的地與美國政府有着共同的利益，即打擊先進節點IC的轉移或濫用，促進相互安全，這些目的地的公司通常向先進代工廠歪曲其產品技術規格的可能性較低。

根據本IFR的變化，這些修訂後的許可證例外將促進低風險貿易，同時允許美國政府首先審查此類先進IC的潛在批准實體，而不是僅僅依靠代工盡職調查來識別潛在的轉移風險。與授權IC設計師相關的報告要求還將使美國政府能夠了解這些實體與先進代工廠之間的驗證過程，以確保其按預期運行。因此，總部位於中國澳門或國家組D:5中指定的目的地的實體將更難獲得受EAR約束的先進計算IC，因爲它們試圖通過可能歪曲其產品技術規格的實體下訂單，然後將先進計算IC轉移到受限制的目的地。

B.第740部分的第6和第7號新補充，包括批准的IC設計實體和批准的“OSAT”公司以及授權的IC設計實體名單

對第740部分進行了修訂，增加了第6號和第7號補充，以創建兩個新的實體列表：經批准的IC設計實體（補充6）和經批准的“OSAT”公司（補充7）。

在決定最初將哪些實體納入這些補充文件時，最終用戶審查委員會（ERC）的代表機構評估了各種國家安全和外交政策因素，包括公司參與適當最終用途活動的記錄；公司的出口許可證和相關歷史記錄，表明遵守美國出口管制，以及存在與該公司有關的其他潛在貶損信息（例如，引發對公司所有權問題的信息）；申請人是否有長期購買先進集成電路的歷史；申請人防止濫用和轉移計算資源的能力；公司總部及其主要經營場所的位置；公司集成電路貿易的數量和性質；以及BIS確定的其他相關因素。在決定哪些實體需要納入或從這些補充中刪除時，ERC將應用相同的因素。

i.在第740部分增加第6號補充

ECCN 3A090.a注1中引用的第740部分第6號新增補列出了經批准的IC設計實體：

Advanced Micro Devices（AMD）、Alphabet、Amazon、Analog Devices（ADI）、Apple（蘋果公司）、BAE Systems、Block、波音公司、博通、Cerebras Systems、Cisco Systems、Hewlett-Packard Enterprise Company（HPE）、Honeywell International、Infineon Technologies AG（英飛凌）、Intel（英特爾）、International Business Machines Corporation（IBM）、L3Harris Technologies、Marvell Technology、聯發科、Meta Platforms、Micron Technology（美光科技）、微軟、三菱集團、諾基亞、英偉達、恩智浦半導體、高通公司、雷神公司、Realtek、索尼集團、特斯拉、德州儀器（TI）、西部數據。

第748.16節解釋瞭如何申請添加到經批准的IC設計實體名單中。要添加到批准的IC設計實體名單中，計劃生產一個或多個ECCN 3A090.a分類的IC的IC設計實體必須以諮詢意見的形式向BIS提交請求，並附上某些所需的信息，即第748部分新補充4中的信息。將公司添加到第740部分第6號補充中批准的IC設計者名單的諮詢意見請求的處理將遵循《出口管理條例》第748部分第9號補充中規定的審查已驗證最終用戶請求的跨部門流程。BIS將對最初包含在第740部分第6號補充中的公司進行補充外聯，以確保繼續遵守EAR，包括本IFR頒佈的要求。

ii、在第740部分增加第7號補充

第740部分第7號補充文件將以下公司列爲經批准的“OSAT”公司，參見ECCN 3A090.a的注1：

Amkor Technology（安靠）、Ardentec Corporation、ASE Technology Holding（日月光投控）、Doosan Tesna、Fabrinet、Giga Solution Tech、GlobalFoundries、HT Micron Semiconductors SA、Intel Corporation、International Business Machines Corporation（IBM）；KESM Industries Berhad、LB Semicon、Micro Silicon Electronics、Nepes Corporation、Powertech Technology Inc（PTI）、QP Technologies、Raytek Semiconductor、Samsung Electronics（三星電子）、SFA Semicon、Shinko Electric Industries、Sigurd Microelectronics Corporation、臺積電（TSMC）和聯華電子（UMC）。

爲了制定這份名單，BIS確定了目前從事“適用先進邏輯IC”生產的“OSAT”公司，這些公司總部設在澳門以外或《出口管理條例》第740部分補充1中國家組D:5中指定的地點。BIS和其他出口管制機構隨後逐案審查了這些實體。根據對美國政府可用的開源和其他信息的審查，這些公司已被確定爲獲得批准。因此，這些公司關於最終封裝產品的“聚合近似晶體管計數”的證明可用於克服ECCN 3A090.a註釋1中的假設，即“適用的高級邏輯集成電路”是3A090.a.產品。

爲了申請被添加到批准的“OSAT”公司名單中，§748.16規定，計劃測試、組裝或封裝一個或多個超過3A090技術閾值的物品的“OSAT”公司必須以諮詢意見的形式向BIS提交請求。處理將公司添加到第740部分第7號補充中批准的“OBAT”公司名單的諮詢意見請求將遵循《出口管理條例》第748部分第9號補充中規定的審查經驗證的最終用戶請求的跨部門流程。

BIS將對最初包含在第740部分第7號補充中的公司進行補充外聯，以確保繼續遵守EAR，包括本IFR頒佈的要求。

iii.爲授權IC設計實體生產“適用的高級邏輯集成電路”的“前端製造商”的報告要求。

第743.9節爲授權IC設計實體增加了生產ECCN 3A090.a中規定的任何IC的“前端製造商”的新報告要求。授權集成電路設計實體是指符合新註釋1至3A090.a標準的實體，包括同意向“前端製造商”提交§743.9（b）中所述的適用信息，然後“前端製造商“必須向BIS報告，並將這些實體排除在註釋1至3A-090.a中描述的某些許可要求之外。這些新的報告要求旨在確保美國政府能夠了解未列入初始批准的集成電路設計名單的公司。

請注意，BIS持續監控出口許可和貿易數據，並可能對經批准的“OSAT”公司和經批准的IC設計者採取糾正措施，包括實施報告要求，如果這些方提出美國國家安全或外交政策問題。

第743.9條第（a）款規定，生產ECCN 3A090.a中規定的任何授權IC設計師的IC的“前端製造商”必須根據本節向BIS提交報告（第743.9（a）條）。由於只有少數“前端製造商”能夠生產ECCN 3A090.a中規定的IC，因此可以整合較小的“前端製造商“的報告要求，他們可以幫助驗證更廣泛的IC設計師和他們合作的“OSAT”公司。構建“前端製造商”的報告要求可確保經濟和合規負擔最小化，並將其置於最有能力提供有助於解決潛在轉移問題的信息的公司身上。此外，“前端製造商”不需要提供有關出口、再出口或（國內）轉讓給授權IC設計實體併成爲批准IC設計者的實體的信息。

第（b）至§743.9段確定了“前端製造商”必須收集的信息，並將其納入提交給BIS的每份關於授權集成電路設計師的報告中（例如，授權集成電路設計者的姓名、地址和聯繫方式；本部分第2號補充中包含的最終用戶審查表；以及報告季度銷售的ECCN 3A090.a中指定或假定指定的各類集成電路的描述）。報告中關於ECCN 3A090.a中指定或假定指定的IC的信息應包括設計者、產品名稱、型號（如果知道）和報告季度內的銷售量。這些信息使美國政府能夠了解覈查過程。

§743.9的最後三段提供了有關如何提交報告以及在何處提交報告一般信息的更多信息。§743.9第（c）（1）款規定，根據本節規定，必須每季度提交一次報告，第一次報告必須在2025年5月31日前提交，報告應涵蓋2025年1月31日至4月30日期間的任何出口、再出口和轉讓（國內）。此後，（c）（2）段規定，BIS必須在5月31日之前收到截至4月30日的報告期的報告。BIS必須在8月31日之前收到截至7月31日的報告期的報告。BIS必須在11月30日之前收到截至10月31日的報告期的報告。BIS必須在2月28日之前收到截至1月31日的報告期的報告。

段落（d）提供了電子郵件地址，EAR.Reports@bis.doc.gov，其中報告必須在主題行中與授權的IC設計師一起提交。（e）段指出，有關報告的一般信息或問題可以提交給國家安全控制辦公室，電話：（202）482-0092，或電子郵件：EAR.Reports@bis.doc.gov

第743.9節中討論的授權IC設計者KYC審查表已通過本IFR添加到第743部分的第2號新補充中。本補充文件包含一份問卷，作爲EAR§743.9中授權IC設計師報告要求的一部分，必須填寫該問卷。第743部分第2號補充表格中問題的未解決答案“是”被視爲紅旗。“前端製造商”在繼續進行交易之前需要進行額外的盡職調查。表格中的問題是KYC最佳實踐，在這種情況下尤其重要，因爲公司有可能尋求先進的鑄造服務來規避對先進計算項目的控制。它們不是盡職調查要求的詳盡清單，但提供了應作爲KYC篩查一部分的重要信息。這些問題集中在三個方面：授權IC設計者的合法性；授權IC設計者是否與綜合篩選名單上的任何條目相匹配；以及篩查特定交易的任何其他方；以及一般的危險信號，例如貨運代理公司是否被列爲最終目的地，或者任何一方是否似乎爲交易支付了過高的費用。

D.從批准的IC設計者和批准的“OSAT”公司名單中添加、修改和刪除的申請流程

i.對諮詢意見流程的更改，用於請求從批准的IC設計師或批准的“OSAT”公司名單中添加、修改或刪除。

在§748.3（c）（諮詢意見）中，本IFR進行了修訂，以說明諮詢意見程序，該程序將用於要求一方從第740部分補充6中的批准IC設計師名單中添加、刪除或修改，或從第740部補充7中的批准“OSAT”公司名單中刪除或修改。這些變更在§748.3第（c）（4）款中實施。本IFR將現有的（c）（4）段重新命名爲（c）段（5）。

ii.第748.16節：申請增加、修改或刪除已批准的IC設計者和已批准的“OSAT”公司名單。

第748部分進行了修訂，增加了新的第748.16節，用於批准IC設計師和批准的“OSAT”公司的添加、刪除或修改請求。爲了有資格被列入《出口管理條例》第740部分第6或第7號補充文件，§748.16指出，申請人必須遵守本節第（a）至（d）款的規定。這些規定在本節第III.D.ii節的以下段落中進行了更詳細的討論，確立了批准的IC設計者的資格和批准的“OSAT”公司地位，並制定了從批准的IC設計師和“OSAT“公司名單中添加、修改和刪除的協議。第748.16節指出，如果《出口管理條例》第740部分第6號或第7號補充中列出的請求未獲批准，則不會觸發新的許可要求。此外，這樣的結果不會使該實體沒有資格獲得BIS的許可證批准，也不排除隨後批准第740部分補充6或7中列出的請求。這些澄清是爲了確保實體不會被勸阻申請列入本補編。

§748.16第（a）（1）款規定，只有設計、組裝、測試或封裝集成電路的實體，或有可靠計劃這樣做的實體，纔會被考慮添加到第740部分第6或第7號補充中的列表中。總部或最終母公司總部設在中國澳門或目的地位於D:5國家組的實體不符合資格，因爲它們面臨着向“前端製造商”提供不準確信息的巨大壓力，以獲得先進的代工服務，製造受限制的先進集成電路。與此同時，沒有設計、組裝、測試或封裝IC並且沒有可靠計劃這樣做的實體沒有資格被列入這兩個名單，因爲他們無法證明自己沒有設計、裝配、測試或包裝的IC的性能規格。

第（a）（2）款規定，在請求將信息添加到清單中時，應包括第748部分第4號補編中的信息。此所需補充中的信息與經驗證的最終用戶（VEU）申請人所需的信息非常相似（即，所有權、記錄保存方法、符合§748.16所有規定的證明以及確認和同意聲明）。

第（a）（3）款提供了一個電子郵件地址，用於發送所有類型的請求。請求必須以諮詢意見請求的形式提交，如§748.3（c）所述，請求應標記爲“批准的供應鏈實體請求”，並通過電子郵件發送至approved_supply_chain@bis.doc.gov.

第（a）（4）款規定了最終用戶審查委員會（ERC）在評估申請人是否有資格被列爲經批准的IC設計者或經批准的“OSAT”公司時使用的一些因素。

這些因素包括：（一）申請人專門從事適當最終用途活動的記錄；（ii）申請人遵守美國出口管制；（iii）批准前需要進行現場審查；（iv）申請人符合被列爲認可IC設計者的要求的能力；（v） 申請人防止濫用和轉移計算資源的能力；以及（vi）申請人與美國和外國公司的關係。

此外，第（a）（4）款細則還規定，在評估IC設計者或“OSAT”公司獲得批准地位的資格時，ERC將考慮申請人總部所在國家的出口管制狀況，以及這些國家對多邊出口管制制度的支持和遵守情況。所有這些因素都與評估申請人遵守所有美國出口管制法規並構成低轉移風險的風險有關。

第（a）（5）款指出，經批准的IC設計者和經批准的“OSAT”公司的名單可能會被全部或部分修訂、暫停或撤銷。

第（a）（6）款強調，在添加或修改請求中提交的信息被視爲構成對現有事實或情況的持續陳述。與授權有關的任何重大或實質性變更，無論狀態是否已授予或仍在考慮中，都必須及時報告給BIS。這些規定確保獲得批准的IC設計者身份以及是否授予該身份的決策得到最新信息的通知。

第（b）款要求請求人根據《出口管理條例》第762部分規定的記錄保存要求，保留與根據§748.16提交的所有請求有關的記錄。這是爲了確保在進行調查時，BIS可以要求獲取在獲得和維護名單狀態過程中所做的相關事實和陳述。

第（c）段確定了授權集成電路設計人員需要向生產ECCN 3A090.a下分類的集成電路的“前端製造商”報告的信息，“前端製造商“必須向BIS報告這些信息。這些報告要求見第三節c中討論的授權集成電路設計人員的§743.9報告要求。

最後，被列爲經批准的IC設計者和經批准的“OSAT”公司的實體可以按照本節第（a）（2）款的指示，要求刪除其在《出口管理條例》第740部分第6或第7號補充中的列名。第（d）段指出，記錄保存和向“前端製造商”或“多個前端製造商”報告必須繼續進行，直到《出口管理條例》更新，將該實體從《出口管理辦法》第740部分第6或第7號補充中刪除。任何最終用戶審查委員會成員都有權根據EAR第748部分第9號補充中的權限，提出對IC設計者名單和OSAT名單中的條目進行添加、修改或刪除的建議。

E.新定義

第772.1節進行了修訂，增加了五個定義：“16/14納米節點”、“聚合近似晶體管計數”、“適用的高級邏輯集成電路”、“前端製造商”和“外包半導體組裝和測試（OSAT）”。這些術語被添加到§772.1中，以幫助公衆輕鬆找到這些術語的定義，因爲它們在EAR的多個部分中使用。

“16/14納米節點”、“聚合近似晶體管計數”和“適用的高級邏輯集成電路”的新定義以一種方式定義了這些技術術語，這將在EAR下爲這些術語的使用位置增加更大的特異性。“前端製造商”和“外包半導體組裝和測試（OSAT）”的新定義爲EAR的目的定義了這些類型的實體，並將使出口商、再出口商和轉讓人更容易識別這些類型的主體。

本IFR還修改了“高級節點集成電路”的定義，修改了動態隨機存取存儲器（DRAM）IC的第（3）段，將存儲單元面積從“小於0.0019µm2”修改爲“小於0.0026µm2”，並將存儲密度從“大於0.288千兆位/平方毫米”修訂爲“大於0.20千兆位每平方毫米”。此外，該規則增加了“每個管芯超過3000個硅通孔”的參數，以確保捕獲根據該定義要捕獲的所有DRAM IC。此外，在定義的註釋2中，“千兆字節”一詞改爲“千兆比特”。有關這些修訂的更多說明，請參閱第III.G.i.b節。

F.修訂以澄清ECCN 3A090.a的範圍

BIS尋求進一步確保“前端製造商”和“OSAT”公司的客戶，包括潛在的空殼公司，不能通過歪曲其IC設計的性能來逃避對先進計算IC的控制。因此，BIS已確定，“前端製造商”僅依靠最終用戶或交易其他方的證明來確認ECCN是不夠的。因此，本IFR通過修訂ECCN 3A090.a對第774部分的第1號補充進行了修訂。

本IFR在ECCN 3A09.a中增加了註釋1，以澄清當“前端製造商”或“OSAT”公司尋求出口、再出口或轉讓（國內）任何“適用的高級邏輯集成電路”時，可以推定該物品是3A090.a.，是爲數據中心設計或銷售的。除非克服了這一假設，否則“前端製造商”或“OSAT”公司必須遵守適用於3A090.a中規定的項目的所有要求。

可以通過以下三種方式之一克服這一假設：

i.如果“適用的高級邏輯集成電路”的設計實體是經批准或授權的IC設計實體。

如上所述，經批准的IC設計實體已由美國政府審查，而在2026年4月13日之前，經授權的IC設計師包括所有IC設計實體（a）總部位於中國臺灣地區或國家組a:1或a:5中指定的目的地，既不位於也沒有最終母公司總部位於澳門或國家組D:5（EAR第740部分第1號補充文件）中指定的目標地，以及（b）其交易需遵守EAR第743.9條中的報告要求。

2026年4月13日之後，如果一家公司既符合這些標準，又提交了成爲獲批IC設計實體的申請，則將被視爲授權IC設計實體180天。以這種方式構建ECCN允許大多數IC設計人員（因爲上述目的地佔“前端製造商”收入的絕大多數）在沒有許可證的情況下進行交易，但提高了美國政府對這一批准的供應鏈流程的可見性。特別是，總部位於中國臺灣地區或國家組a:1或a:5指定目的地的授權IC設計師，如果其“前端製造商”符合此類客戶的報告要求，則可以克服這一假設。2026年4月13日之後，獲得豁免的主要方式是成爲經批准的IC設計師（此處描述的180天路線除外）。

ii.如果IC芯片由“前端製造商”在中國澳門以外的地點或第740部分補充1中國家組D:5中指定的目的地進行封裝，則“前端製造商“的證明，即

（a）最終封裝IC的“聚合近似晶體管數量”低於300億個晶體管，或

（b）最終封裝的IC不包含高帶寬存儲器（HBM），並且最終封裝的集成電路的“聚合估計晶體管數量”在2027年完成的任何出口、再出口或轉移（國內）中低於350億個晶體管；或

（c）2029年或之後完成的任何出口、再出口或轉讓（國內）400億個晶體管，則這克服了ECCN 3A090.a中規定的IC的假設。

由“前端製造商”自己在D:5或澳門以外的地點完成的封裝將使該芯片製造商能夠對芯片的技術參數進行可信、可靠的評估。如果“前端製造商”自己進行包裝，他們將明確知道最終的包裝物品是否超過了上述規定的適用晶體管閾值，因此前端製造商不需要完全依賴客戶的信息。

iii.如果IC由《出口管理條例》第740部分第7號補充中列出的經批准的“OSAT”公司封裝，則該經批准的公司應證明：

（a）最終封裝IC的“聚合近似晶體管數量”低於300億個晶體管，或

（b）最終封裝的IC不包含高帶寬存儲器（HBM），並且最終封裝IC在2027年完成的任何出口、再出口或轉讓（國內）的“聚合接近晶體管數量”均低於350億個晶體管；或

（ii）2029年或之後完成的任何出口、再出口或轉讓（國內）400億個晶體管，則這克服了ECCN 3A090.a中規定的IC的假設。

鑑於美國政府已對這些實體進行了評估，以準確報告最終包裝物品的最終性能，因此，由經批准的“OSAT”公司完成包裝應能對最終物品的技術規格進行可靠評估。

如果一家經批准的“OSAT”公司能夠確認最終產品不包含超過適用數量的晶體管（根據出口、再出口或國內轉讓的年份指定），那麼這種產品不太可能是先進的AI芯片。這三個條件中的任何一個都足以提高客戶對IC性能的認證的可信度，從而使潛在客戶能夠在不申請許可證的情況下繼續進行。

在《出口管理條例》第740部分第6號補充中列出的經批准的IC設計實體沒有證明“總處理性能”和“性能密度”的情況下，使用“16/14納米節點”或以下，或使用非平面晶體管架構生產的任何邏輯IC，如果其目的地是封裝內“聚合近似晶體管計數”超過適用晶體管數量（如出口、再出口或國內轉讓年份所規定）的物品，或者如上所述，“前端製造商”或“OSAT”公司無法確認最終包裝物品的“聚合近似晶體管計數”，則假定該物品爲3A090.a爲數據中心銷售。

同樣，由經批准的“OSAT”公司進行處理，並經過BIS和相關跨部門合作伙伴的審查，可以克服“適用的高級邏輯IC”是3A090.a項目併爲數據中心設計或銷售的假設。

重要的是，ECCN 3A090中的推定不適用於根據ECCN 4A003.z、4A004.z、4A 005.z或4A090分類的物品。因此，本IFR規定的變更主要限於“前端製造商”尋求將IC出口給芯片設計實體或“OSAT”公司的情況。

注2: 3A090.a提供了管芯的“近似晶體管計數”的定義，即管芯的晶體管密度乘以以平方毫米爲單位的管芯面積。管芯的“晶體管密度”是用於製造管芯的工藝節點每平方毫米可以製造的晶體管數量。

G.對FDP IFR所做更改的修訂

i.非商業管制清單（CCL）修正案

a.對§744.11的修訂

本規則對§744.11（a）（2）（v）進行了修訂，以協調總部位於中國澳門或其最終母公司位於澳門或國家組D:5中指定的目的地的實體從國外出口或從所有國家再出口的許可證要求的產品範圍，與總部位於第742部分第4號補充中未指定的國家的實體或其最終總公司位於第744.11條（a）款（3）（i）中的許可證規定的產品範圍。具體而言，該規則在第（a）（2）（v）（a）（1）款的範圍內增加了額外的ECCN，即ECCN 3B993，根據該IFR，現在是ECCN 3B001（3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、f6、g、h、k到n、p.2、p.4或r除外），3B002（3B002.c除外），3B611、3B903、3B991（3B991.b.2.a至3B991.b.2.b除外）、3B992、3B993或3B994。

b.修訂DRAM“高級節點集成電路”的定義

該規則更新了§772.1中DRAM IC的“高級節點集成電路”的定義，以澄清（1）其先前的18納米（nm）半間距標準BIS打算捕獲的相關單元面積爲0.0026平方微米（µm2）；（2） 打算用其18nm半間距標準捕獲的相關存儲器密度爲每平方毫米0.20千兆位（Gb/mm2）；以及（3）每個管芯要捕獲的硅通孔的相關數量是“每個管芯3000多個硅通孔”的參數。2022年10月，BIS根據§744.6（c）（2）和744.23（a）(2)。在FDP IFR中，BIS直接參考這些技術參數，取代了18 nm半間距標準。

然而，根據對DRAM生產信息的進一步分析，BIS確定，由於IRDS定義和相關代工廠生產的DRAM的實際參數，IRDS對“18nm半間距”的定義並不完全涵蓋相當於“18nm一半間距”的DRAM IC。因此，它並不限制§744.23（a）（2）所涵蓋的物品的出口、再出口和（在國內）轉讓，也不限制美國人§744.6（c）（2)。因此，本次更新修改了單元面積和存儲器密度參數，使其與DRAM行業18 nm半間距節點的生產標準保持一致，而不是基於DRAM存儲器的理論模型而非實際物理特性的IRDS對“18 nm半螺距”的定義。本次修訂對以前不受2024年12月5日FDP IFR中DRAM定義控制的DRAM設施實施了最終用途和美國人控制。

c.對腳註5的修訂，涉及對邏輯和DRAM“高級節點集成電路”“生產”的支持

該規則擴大了適用於腳註5實體的新De Minimis和FDP所涵蓋的最終用戶範圍，包括髮生邏輯和DRAM“高級節點集成電路”“生產”的任何最終用戶設施。正如FDP IFR中所解釋的那樣，由於實體清單規則中描述的特定國家安全和/或外交政策問題，包括支持或有可能支持中國生產“先進節點集成電路”的努力，包括用於軍事最終用途，BIS在實體清單中增加了16個實體，並指定了腳註5。這些控制措施補充了BIS在《出口管理條例》第744.6（c）（2）條和第744.23（a）（2中）條中對“先進節點集成電路”“生產”的現有控制措施。本IFR中的修訂將確保在“知道”某一物品將運往位於相關設施的某些實體時，對某些外國生產的物品實施控制，無論這些物品是否已被添加到帶有腳註5的實體清單中。目前，BIS已決定對“生產”邏輯和DRAM“先進節點集成電路”的設施增加域外管制。

d.對§734.4（a）（3）文本和腳註的修訂

本規則將§734.4（a）（3）中的“a”修改爲“This”，以澄清本節中的相關“商品”是ECCN 3B993.f.1中描述的設備。本IFR還更新了§734.4的腳註1，以解決行業關於哪些國家對這些物品進行控制的問題。

e.修訂§734.9（a）以增加知情權

本規則對§734.9（a）進行了修訂，增加了第（a）（3）款，以澄清BIS有權通知人們，位於美國境外的外國生產的物品在符合§733.9中任何FDP規則的要求時受EAR的約束，截至本IFR生效之日，該規則由第（b）至（k）款組成，並通知人們適用於此類物品的任何許可證要求。

f.更正§734.9中的四個音符名稱，使其按順序排列

在§734.9中，本IFR還重新指定了四個現有註釋，將註釋按數字順序排列在該節中，以符合《聯邦公報》辦公室對章節中註釋順序編號的要求。本IFR將（g）段註釋3重新指定爲（g）款註釋4，將（h）（2）（ii）段註釋5重新指定爲第（h）段註釋6，將（k）（1）（二）（B）段註釋三重新指定爲第一（k）段註釋六，將第（l）段注七重新命名爲第一（1）段註釋八。

g.在§734.9（h）（1）中增加註釋4

在高級計算FDP規則中，本IFR在§734.9（h）（1）中添加了註釋4，以提醒製造設施和“OSAT”公司，根據ECCN 3A090的註釋1，當IC是“適用的高級邏輯集成電路”時，可以推定該商品是ECCN 3A09.a，並且是爲數據中心設計或銷售的，即使用“16/14納米節點”或以下或使用非平面晶體管架構生產的邏輯集成電路。

h.修訂臨時通用許可證（TGL）的產品範圍——限制較少的中小企業“零件”、“組件”或“設備

在第736部分的第1號補充中，本IFR修訂了第（d）（1）（i）（A）段中TGL的產品範圍——第（d”（1）段中限制較少的SME“零件”、“組件”或“設備”。本IFR刪除了第（d）（1）（i）（A）段中對ECCN 3A991的引用，並在其位置添加了3B991，以糾正產品範圍。

ii.商務管制清單修訂

a.修訂以增加改進3B001.f和3B993.f光刻設備的項目

本規則在3B001.f.、3B993.f.、3D992、3D993、3E992和3E993下增加了新的段落，用於設計或修改商品、“軟件”和“技術”，以改進3B001.f.1和3B993.f中規定的深紫外光刻設備的最小可分辨特徵尺寸和“專用卡盤覆蓋層”。這些新的控制措施涵蓋了3B001.f.1.或3B993-f中沒有規定爲此類設備的“專門設計”“組件”或“附件”的項目，或是在相關的3D和3B ECCN中爲此類設備“開發”或“生產”專門設計的“軟件”和“技術”的項目。該規則還修改了EAR中的各種交叉引用，以包括3B001.f.6。

b.對ECCN 3B993和3B994的修訂

該規則修改了ECCN 3B993和3B994的標題，以規定這些ECCN中規定的商品的設備和“專門設計”的“組件”和“配件”。BIS正在進行這些更改，以使ECCN 3B993和3B994的範圍與ECCN 3B001和3B002中的類似控制相協調。

c.對ECCN 3D992、3D993、3D994、3E992、3E993和3E994的修訂

對第3D992.a、3D993.a、3E993.a段進行了修改，增加了“專門設計”，以與其他990系列軟件控件保持一致。

ECCN 3D994和3E994進行了修改，在標題中添加了“專門設計”，以與其他990系列軟件和技術控制保持一致。

ECCN 3E992進行了修訂，在標題中添加了“和”技術“如下（見受控物品清單）”，並添加了第3E992.a段，以控制“專門設計”用於“開發”或“生產”3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、f.6、k至n、p.2、p.4、r中規定的商品的“技術”；或3B002.c；以及添加3E992.b來控制3E992.a中未指定的“技術”，該技術被設計或修改爲在深紫外浸沒光刻設備中或與深紫外浸漬光刻設備一起執行指定操作。

iii.延長FDP IFR的評論期

該IFR將FDP IFR的書面意見截止日期延長至2025年3月14日。這一延期是爲了讓評論者有更多的時間來審查在FDP IFR中對EAR的額外修訂和澄清，並通過BIS正在進行的關於FDP IFR的公衆宣傳以及將爲該IFR進行的公衆宣傳來了解他們的意見。延長FDP IFR的公衆意見徵詢期不會改變該規則的生效日期。

四、 公衆評論

BIS歡迎公衆對這些額外的盡職調查修訂以及本IFR中包含的任何其他變更發表意見。

五、保留條款

a.整個IFR0的保留條款

對於因本監管行動而被取消許可證例外或出口、再出口或轉讓（國內）NLR資格的物品，在[插入日期爲《聯邦公報》公佈日期後15天]由承運人運往出口、再進口或轉讓（在國內）港口的途中，根據實際訂單，可以根據之前的許可證例外資格或出口、轉口或轉讓（境內）NLR前往該目的地，前提是出口、再進出口或轉讓（本國）已完成不遲於[在《聯邦公報》上公佈日期後45天插入日期]。

b.本IFR對先前授權的某些交易的保留條款

如果在本監管行動生效日期前的十二個月內，BIS豁免了根據§744.11（c）或744.23（b）發佈的通知所規定的許可要求對某一物品的出口、再出口或轉讓（國內），那麼在BIS未採取額外行動的情況下，該物品的出口或再出口或轉移（國內）將免於本監管行動所規定的任何許可要求。

編輯：芯智訊