金融界 2025 年 1 月 18 日消息，國家知識產權局信息顯示，意法半導體國際公司申請一項名爲“用於半導體器件上的石墨烯層生長和同時的硅化鉬形成的方法”的專利，公開號 CN 119314859 A，申請日期爲 2024 年 7 月。專利摘要顯示，本公開的實施例涉及一種用於半導體器件上的石墨烯層生長和同時的硅化鉬形成的方法。提供了一種用於在半導體襯底上形成石墨烯層的方法、一種利用該石墨烯層形成...
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