【中信證券:美國對華先進存儲限制再加碼,倒逼高端存儲產業鏈國產加速】金十數據1月18日訊,中信證券研報表示,1月15日晚間,BIS修訂了《出口管理條例》(EAR),修改DRAM先進存儲定義,工藝節點仍爲18nm,存儲單元面積及存儲密度由24年12月的1ynm變爲1xnm,同時增加TSV通孔數限制,對HBM和先進DRAM的限制再加碼,倒逼產業鏈國產化加速。本次限制針對製造廠商及供應鏈,設計廠商業務正常開展,我們看好高端定製存儲業務,持續推薦。同時我們認爲,後續在本土高端封測廠商和設備廠商的配合下,國內DRAM原廠有望突破HBM,佈局相關環節的廠商有望核心受益,看好高端存儲產業鏈國產替代。
免責聲明:投資有風險,本文並非投資建議,以上內容不應被視為任何金融產品的購買或出售要約、建議或邀請,作者或其他用戶的任何相關討論、評論或帖子也不應被視為此類內容。本文僅供一般參考,不考慮您的個人投資目標、財務狀況或需求。TTM對信息的準確性和完整性不承擔任何責任或保證,投資者應自行研究並在投資前尋求專業建議。