在半導體制造中，2nm工藝是繼3nm工藝節點之後的下一個MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）芯片微縮技術。“2nm”或“20埃”（英特爾使用的術語）與晶體管的任何實際物理特徵（例如柵極長度、金屬間距或柵極間距）無關。根據電氣和電子工程師協會(IEEE)發佈的2021 年更新的《國際設備和系統路線圖》中的預測，“2.1 nm節點範圍標籤”預計接觸柵極間距爲 45 nm，最緊密金屬間距爲 20...
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