【中信證券：美國對華先進存儲限制再加碼，倒逼高端存儲產業鏈國產加速】中信證券研報表示，1月15日晚間，BIS修訂了《出口管理條例》，修改DRAM先進存儲定義，工藝節點仍為18nm，存儲單元面積及存儲密度由24年12月的1ynm變為1xnm，同時增加TSV通孔數限制，對HBM和先進DRAM的限制再加碼，倒逼產業鏈國產化加速。本次限制針對製造廠商及供應鏈，設計廠商業務正常開展，我們看好高端定製存儲業務，持續推薦。同時我們認為，後續在本土高端封測廠商和設備廠商的配合下，國內DRAM原廠有望突破HBM，佈局相關環節的廠商有望核心受益，看好高端存儲產業鏈國產替代。
中信證券研報表示，1月15日晚間，BIS修訂了《出口管理條例》，修改DRAM先進存儲定義，工藝節點仍爲18nm，存儲單元面積及存儲密度由24年12月的1ynm變爲1xnm，同時增加TSV通孔數限制，對HBM和先進DRAM的限制再加碼，倒逼產業鏈國產化加速。本次限制針對製造廠商及供應鏈，設計廠商業務正常開展，我們看好高端定製存儲業務，持續推薦。同時我們認爲，後續在本土高端封測廠商和設備廠商的配合下，國內DRAM原廠有望突破HBM，佈局相關環節的廠商有望核心受益，看好高端存儲產業鏈國產替代。
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