（原標題：羅姆更換總裁，或將裁員重組）

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來源：內容編譯自eetjp，謝謝。

2025年1月17日，羅姆宣佈更換社長。負責質量、生產、通用器件業務和模塊業務的高級常務執行官兼 ROHM Apollo 總裁 Katsumi Higashi 將從 2025 年 4 月 1 日起接替 Isao Matsumoto 的現任職位。

關於總裁變動的原因，羅姆表示，“爲了提高企業價值，加速構建堅實的經營基礎。” 2024年11月，羅姆宣佈2024財年全年業績預計將出現60億日元的虧損。

新任總裁Katsumi Higashi 於 1989 年加入羅姆，曾擔任分立器件生產部門總經理等多個職務。2023年，他將成爲羅姆阿波羅總裁，從2024年起，他將兼任羅姆高級常務執行官，負責質量、生產、通用器件業務和模塊業務。

Katsumi Higashi 在 2025 年 1 月 17 日羅姆召開的新聞發佈會上表示：“羅姆目前正處於虧損前景和股價暴跌的困境中。作爲在經營中發揮過作用的人，我對此我也深感遺憾。” “爲了使公司恢復盈利，我們需要經歷痛苦的改革。我們將堅定不移地進行這一改革。”具體來說，除了考慮工廠重組外，該公司“不排除”裁員的選擇，他說。

Katsumi Higashi 分析了羅姆的產品，說道：“有些產品賣得很好，但我們已經沒有隻有羅姆才能提供的獨特產品了。”展望未來，他計劃“增加我們與羅姆的聯繫數量”。客戶並開發下次需要的產品。”“我們正在考慮組織變革，以便開發人員可以專注於開發。”

此外，公司的高層管理人員正在繼續討論加強與東芝的半導體業務合作關係，該合作關係於 2024 年 3 月宣佈。

功率SiC：ROHM未來擴張的基石

根據Yole Group 的年度《功率 SiC 報告》，SiC 器件市場預計到 2029 年將達到近 100 億美元，2023 年至 2029 年的複合年增長率爲 24% 。這一增長的主要驅動力是汽車和出行行業，尤其是純電動汽車。2023 年，該行業佔據了最大的市場份額，預計到 2029 年將進一步增長。截至 2024 年，400V 純電動汽車代表了對 SiC 的最高需求。OEM 推出更多 800V 純電動汽車正在加速這一勢頭。此外，工業應用，尤其是能源領域的工業應用，正在成爲 SiC 增長的另一個關鍵領域。

作爲SiC的重要參與者，ROHM已經公佈了其雄心勃勃的計劃，通過擴大生產能力、過渡到 8 英寸平臺以及推出新一代功率 SiC 器件和模塊，在未來幾年大幅增加其功率 SiC 收入。

Yole Group 的分析師有幸與ROHM 功率器件業務戰略部經理 Akifumi Enomoto 進行了交談。在這次採訪中，Yole Group 複合半導體高級技術與市場分析師 Amine Allouche 和 Poshun Chiu深入探討了 ROHM 的業務戰略、技術創新以及快速擴張的功率 SiC 市場的產品路線圖。

Poshun Chiu (PC)：Yole Group 最近的報告《Power SiC 2024》中預測 2029 年的收入將接近 100 億美元，複合年增長率爲 24%。而 ROHM 已經實施了產能擴張和 8 英寸產能建設。您能談談 ROHM 集團增加 SiC 收入的策略嗎？

EA：當然。我們必須提高產能以滿足市場需求。從提高生產率的角度來看，在 8 英寸基板上製造是一個至關重要且必不可少的技術問題。ROHM 已開始生產 8 英寸基板，首批設備計劃於 2023 年交付。我們預計從 2025 年開始發佈設備和其他產品以供量產和出貨。關於設施擴建，我們正準備在日本宮崎縣的第二家工廠開始運營。該工廠總建築面積約爲 230,000 平方米，位於宮崎縣國富町。該工廠以前被另一家公司用作工廠，包括一個潔淨室。這使我們能夠快速啓動並滿足快速增長的 SiC 市場的增長。2023 年 12 月，該工廠根據日本經濟產業省 (METI) 的“確保功率半導體供應計劃”獲得批准。因此，我們獲得了約三分之一投資額的補貼。隨着宮崎第二工廠的開業，我們正在進行這項擴張。目前，羅姆集團的 SiC 工藝生產線位於宮崎和筑後。然而，隨着 2023 年宮崎第二工廠的開業，我們預計生產能力將大幅提高，使我們能夠滿足到 2030 年的需求。

PC：汽車是功率 SiC 市場的主要推動力，佔據了 70% 以上的市場份額。我們知道 ROHM 已經與多家 OEM 和一級供應商宣佈了多項設計中標消息。您能評論一下 ROHM 在這個行業中的地位和前景嗎？

EA：是的，正如您所說，汽車是 SiC 市場最大的細分市場。使用 SiC 數量最多的汽車應用是驅動電機的 xEV 牽引逆變器。單個牽引逆變器包含多個 SiC 芯片。除了供應 SiC 裸片外，ROHM 還擴大了其產品範圍，包括模塊。關於 SiC 模塊，除了 ROHM 自己生產的模塊外，還可以通過 ROHM 與中國正海集團的合資企業從 SiC 模塊製造商 HAIMOSIC 獲得。在牽引逆變器中使用 SiC 芯片時，需要考慮許多設計因素。ROHM 專注於提供應用級支持，包括配備自己的電機測試設施來解決這些問題。此外，我們公司不僅在總部，而且在歐洲、美洲和亞洲都設有一支應用現場工程師團隊，使我們能夠快速響應客戶需求。我們還專注於車載充電器和 DC-DC 轉換器的分立 SiC MOSFET 和 SiC SBD，並可以提供多種形式的設備。

憑藉領先製造商對我們的尖端技術以及業務靈活性和穩定供應系統的綜合評估，我們已經獲得了全球 130 多家公司的設計訂單。例如，在歐洲，Vitesco（舍弗勒集團成員）；在美洲，Lucid Motor；在中國，ZEEKR；在日本，馬自達。這些只是幾個例子，但我們很高興地報告，所有地區的採用和合作都在均衡地推進。

Amine Allouche (AA)：關於汽車的問題，我們瞭解到新發布的 2-in-1 TRCDRIVE 包™ 集成了 ROHM 的第四代 SiC MOSFET。您能否評論一下電源模塊和 MOSFET 的優勢以及應該強調的差異化因素？

EA：牽引逆變器的關鍵要求是功率模塊既緊湊又能夠處理大電流，這就需要高功率密度。TRCDRIVE pack™ 採用二合一配置，其多個 SiC 芯片可實現比分立產品更高的電流吞吐量。由於牽引逆變器必須處理 300A 或更大的大電流，因此使用高電流密度 SiC 模塊可以設計緊湊型牽引逆變器。ROHM 的 TRCDRIVE pack™ 憑藉其獨特的結構（將一次電流和控制信號分開）和優化的內部佈局，提供了業界領先的 SiC 模塊功率密度。具體而言，它實現了現有 SiC 模製模塊功率密度的約 1.5 倍。此外，從模具頂部伸出的分離控制引腳簡化了與柵極驅動器基板的連接，減少了設計工作。

PC：目前，工業應用，例如電動汽車充電器、光伏逆變器、轉換器和電源，都是 Power SiC 的重要應用。我們還看到熱泵和電機驅動 Power SiC 的滲透率將進一步提高。從市場規模和 ROHM SiC 器件的附加值方面來看，ROHM 對工業應用有何看法？

EA：光伏逆變器佔工業應用 SiC 需求的很大一部分。光伏逆變器越來越多地將直流系統的工作電壓提高到 1500V，以提高轉換效率並減少傳輸損耗。ROHM 開發了一款專門針對這些 1500V 直流系統的 2kV SiC MOSFET。此外，ROHM 已經推出了從 650V 到 1,700V 的 SiC SBD 產品。這些產品有分立器件或裸片兩種形式，被用於電動汽車充電器、不間斷電源 (UPS) 和光伏逆變器的 PFC 部分。在汽車領域，ROHM 也在加速向模塊製造商提供 SiC 裸片的商業模式。例如，我們已經與 Semikron 就 SiC 達成了合作伙伴關係，他們的 eMPack® 產品使用了 ROHM 的 SiC MOSFET 裸片。我們還在加強與 Semikron 在工業設備領域的合作，並已經開始提供 SiC 和 IGBT 裸片。

AA：隨着 SiC 器件在全球範圍內的普及和成本效益的提高，我們也看到其他應用對 SiC 器件表現出興趣。在汽車和當前的工業應用之後，ROHM 可以瞄準哪些應用？例如高壓應用，3.3kV、6.5kV 或更高。

EA：我們預計，未來 SiC 在高壓工業應用中的採用將繼續獲得發展勢頭。具體來說，如前所述，目標將包括光伏逆變器、儲能系統、脈衝電源和固態變壓器。我們已經爲 1,500VDC 光伏逆變器系統開發了 2kV SiC MOSFET，而 ROHM 長期以來一直致力於 3.3kV 及更高電壓 SiC 技術的研究和開發。我們目前的戰略是進一步擴大我們的產品範圍，包括用於光伏逆變器的 2kV 額定組件。

AA：我們想進一步瞭解 SiC 器件和裸片/分立器件/功率模塊的產品路線圖。ROHM 是否預計未來幾年會取得任何技術突破？（例如，我們知道 ROHM 推出了帶散熱器的 6 合 1 模製模塊），或者正在開發新的器件技術等？有什麼需要強調的具體挑戰嗎？

EA：如前所述，ROHM SiC 業務模式的主要優勢之一是其靈活性，使其能夠適應各種交付形式，包括裸片、分立器件和模塊。我們目前正在開發第五代SiC MOSFET，預計於 2025 年發佈。與第四代相比，這款新產品有望在高溫下將導通電阻降低 30%。此外，在日本政府的支持下，我們正在開發包括第六代和第七代在內的下一代產品：這些下一代產品分別計劃於 2027 年和 2029 年發佈。通常，一代產品的演變需要四到六年的時間；但是，通過每兩年發佈一次產品，我們預計能夠以更快的速度響應市場變化和需求。

但是，我想談談包括TRCDRIVE pack™在內的SiC成型模塊的開發。除了進一步提高功率密度之外，我們的目標還包括實現提高散熱性和降低導通電阻的突破，而這兩者往往與功率密度相牴觸。具體來說，我們正在開發高性能樹脂，以支持具有出色散熱性能的下一代接合材料，例如Ag燒結體。此外，我們還計劃通過採用上述第5代SiC裸芯片來生產電流容量高達900Am的SiC成型模塊。此外，我們還計劃擴大成型SiC模塊的產品線，包括推出DIP型（HSDIP）模塊和DOT-247封裝模塊。

AA：繼 SiC 挑戰之後，成本競爭力也在推動各種系統電氣化的滲透。ROHM 是否有任何策略和創新來提高 SiC 的成本競爭力？在良率方面，您如何看待目前的水平和未來的 8 英寸平臺？

EA：鑑於 SiC 正進入廣泛採用時期，我們敏銳地意識到成本競爭力的重要性。我們有信心通過三個要素增強成本競爭力 - 1）通過整合基板技術、外延器件加工技術和器件設計技術顯著提高成品率 2）開發下一代器件 3）使用 8 英寸晶圓提高生產率。因此，系統電氣化將在更廣泛的市場中加速。

我們保持着一個涵蓋從基板到器件模塊的統一開發和生產系統。此外，我們擁有專業知識和技術，通過將晶圓直徑從 3 英寸增加到目前的 6 英寸來確保穩定的供應。事實上，我們在 2010 年是世界上第一個成功量產 SiC MOSFET 的公司。

https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2501/20/news064.html

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