快科技1月21日消息，據韓國媒體報道，三星電子的第六代10納米級1c DRAM製程開發進度出現延遲，預計完成時間從2024年年底推遲至2025年6月。這一延期意味着原計劃於2025年下半年量產的第六代高頻寬存儲器（HBM4）也面臨不確定性。三星在2024年年底向市場交付了首個測試芯片，但後續生產良率未達預期，導致開發時間延長，據市場人士透露，三星計劃在未來六個月內將良率提升至約70%。按照過往經驗...
網頁鏈接免責聲明：投資有風險，本文並非投資建議，以上內容不應被視為任何金融產品的購買或出售要約、建議或邀請，作者或其他用戶的任何相關討論、評論或帖子也不應被視為此類內容。本文僅供一般參考，不考慮您的個人投資目標、財務狀況或需求。TTM對信息的準確性和完整性不承擔任何責任或保證，投資者應自行研究並在投資前尋求專業建議。