金融界2025年1月28日消息，國家知識產權局信息顯示，應用材料公司申請一項名爲“沉積介電材料的方法”的專利，公開號 CN 119361416 A ，申請日期爲 2019 年 8 月 。

專利摘要顯示，本發明的實施方式提供了一種用於使用 RF 偏壓脈衝以及遠程等離子體源沉積來沉積介電材料的設備和方法，以用於製造半導體裝置，特別是用於在半導體應用中填充具有高深寬比的開口。在一個實施方式中，一種沉積介電材料的方法包括：將氣體混合物提供到處理腔室中，處理腔室中設置有基板；在遠程等離子體源中形成遠程等離子體並將遠程等離子體輸送到處理腔室中界定的內部處理區域；以脈衝模式將 RF 偏壓功率施加到處理腔室；及在存在氣體混合物和遠程等離子體的情況下，在設置在基板上的材料層中界定的開口中形成介電材料。