金融界2025年1月25日消息，國家知識產權局信息顯示，瑤芯微（上海）電子科技股份有限公司申請一項名爲“屏蔽柵溝槽型MOSFET器件及其製備方法”的專利，公開號CN 119342867 A，申請日期爲2024年9月。

專利摘要顯示，本發明提供一種屏蔽柵溝槽型MOSFET器件及其製備方法，至少包括：於具有外延層的襯底上形成第一溝槽單元及第二溝槽單元，於所述第一溝槽單元內形成第一介質層和第一多晶硅，於所述第二溝槽單元內壁形成組合柵介質層並填充第二多晶硅，所述組合柵介質層由內氧化硅、氮化硅及外氧化硅層疊構成，隨後形成體區、源區及上金屬層。內氧化硅厚度降低，減少了所述第二溝槽單元內壁兩側氧化硅和多晶硅之間的應力集中；同時，所述組合柵介質層有效減少了後續高溫製程對於溝槽內壁界面應力集中的影響降低了晶圓翹曲的風險最後所述組合柵介質層擁有更高的介電常數，使得器件在低的閾值電壓下擁有更高的柵極耐壓能力，改善柵極漏電且提高了器件性能。

天眼查資料顯示，瑤芯微（上海）電子科技股份有限公司，成立於2019年，位於上海市，是一家以從事軟件和信息技術服務業爲主的企業。企業註冊資本1685.2302萬人民幣，實繳資本1628.4247萬人民幣。通過天眼查大數據分析，瑤芯微（上海）電子科技股份有限公司共對外投資了4家企業，知識產權方面有商標信息13條，專利信息134條，此外企業還擁有行政許可3個。