金融界2025年1月25日消息，國家知識產權局信息顯示，深圳市迪浦電子有限公司申請一項名爲“一種超薄及大面積的大功率MOSFET芯片”的專利，公開號 CN 119342880 A，申請日期爲2024年10月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種超薄及大面積的大功率MOSFET芯片，所述MOSFET芯片包括有源區，所述有源區的條狀的源極引線孔爲間斷設置，所述條狀的源極引線孔的走向爲橫豎交替，將整條引線孔分割成若干長度更短的引線孔同，多段引線孔之間隔有介質層，經過引線孔刻蝕後，晶圓的微翹曲效應明顯減輕，應力明顯降低，引線孔刻蝕後的應力，可在水平及垂直方向相互抵消，翹曲問題消除，晶圓表面十分平整，芯片面積可以做得更大，且不會出現晶圓微翹曲及應力問題，晶圓減薄厚度可以更薄，而不會增加減薄碎片率，產品比導通電阻更低、熱阻更低、功率密度更大。

天眼查資料顯示，深圳市迪浦電子有限公司，成立於2007年，位於深圳市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本3000萬人民幣，實繳資本2000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，深圳市迪浦電子有限公司共對外投資了1家企業，知識產權方面有商標信息13條，專利信息31條，此外企業還擁有行政許可8個。