金融界2025年1月31日消息，國家知識產權局信息顯示，無錫邑文微電子科技股份有限公司申請一項名爲“一種硅基材料RTO過程中漏氧程度的量測方法及其應用”的專利，公開號CN 119381279 A，申請日期爲2024年10月。

專利摘要顯示，本發明提供一種硅基材料RTO過程中漏氧程度的量測方法及其應用，屬於半導體技術領域。所述量測方法包括以下步驟：將硅基材料置於熱處理裝置中，然後設定所述熱處理裝置的溫度、恆溫時間和內腔空間的壓力，並使得所述熱處理裝置的腔體空間內的氣氛爲惰性氣氛；測量熱處理後的硅基材料中氧化層的厚度和均勻性，以判斷RTO過程中的漏氧程度。本發明提供的量測方法不僅工藝簡單，能夠準確量測硅基材料在RTO過程中的漏氧程度，效率高，而且能夠在高溫環境下準確測量硅基材料的漏氧程度和均勻性，可實現對RTO過程中裝置內腔體空間的密封性檢測。

天眼查資料顯示，無錫邑文微電子科技股份有限公司，成立於2011年，位於無錫市，是一家以從事研究和試驗發展爲主的企業。企業註冊資本36000萬人民幣，實繳資本2142.432萬人民幣。通過天眼查大數據分析，無錫邑文微電子科技股份有限公司共對外投資了7家企業，參與招投標項目133次，知識產權方面有商標信息20條，專利信息317條，此外企業還擁有行政許可31個。