【我國在太空成功驗證第三代半導體材料製造的功率器件】金十數據2月2日訊，以碳化硅（SiC）爲代表的第三代半導體材料是我國製造業轉型升級的驅動因素和重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉，我國在太空成功驗證了首款國產碳化硅（SiC）功率器件，第三代半導體材料有望牽引我國航天電源升級換代。業內專家認爲，我國在太空成功驗證第三代半導體材料製造的功率器件，標誌着在以“克”爲計量的空間載荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牽引空間電源系統的升級換代，爲未來我國在探月工程、載人登月、深空探測等領域提供新一代功率器件。
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