據新華社上海2月2日電 以碳化硅（SiC）爲代表的第三代半導體材料是我國製造業轉型升級的驅動因素和重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉，我國在太空成功驗證了首款國產碳化硅（SiC）功率器件，第三代半導體材料有望牽引我國航天電源升級換代。據中國科學院微電子研究所劉新宇研究員介紹，功率器件是實現電能變換和控制的核心，被譽爲“電力電子系統的心臟”，是最爲基礎、應用最爲廣泛的器件之一。隨着硅基功率...
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