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近日，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟相繼完成3項團體標準徵求意見稿的編制，正式面向聯盟成員單位徵求意見，爲期一個月。

》》UIS應力下GaN HEMT在線測試方法徵求意見

2025年1月23日，由電子科技大學牽頭起草的標準T/CASAS 052—202X《非鉗位感性負載開關應力下GaN HEMT在線測試方法》已完成徵求意見稿的編制，正式面向聯盟成員單位徵求意見，爲期一個月。徵求意見稿已經由祕書處郵件發送至聯盟成員單位；非聯盟成員單位如有需要，可發郵件至casas@casa-china.cn。T/CASAS 052—202X《非鉗位感性負載開關應力下GaN HEMT在線測試方法》描述了執行非鉗位感性負載應力下氮化鎵高電子遷移率晶體管在線測試方法，包括測試原理、測試條件、測試程序、數據處理和試驗報告。

本文件適用於適用於封裝級GaN HEMT器件的生產研發、特性表徵、量產測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。

電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab, PITeL）隸屬於電子科技大學集成電路科學與工程學院，爲四川省功率半導體技術工程研究中心，是電子薄膜與集成器件全國重點實驗室和電子科技大學集成電路研究中心的重要組成部分。現有18名教授/研究員、9名副教授/副研究員，285名在讀全日制碩士研究生和69名博士研究生，被國際同行譽爲“全球功率半導體技術領域最大的學術研究團隊”和 “功率半導體領域研究最爲全面的學術團隊”。在團隊負責人張波教授的帶領下，該實驗室兩次牽頭取得國家科學技術進步獎二等獎和四川省科學技術進步獎一等獎，共獲省部級以上科研獎勵15項。近年來，實驗室共發表SCI收錄論文500餘篇，獲授權發明專利1462項。同時，其產學研合作成效顯著，部分產品打破國外壟斷、實現批量生產，爲企業新增直接經濟效益超過百億元，推動了我國功率半導體行業的發展。

》》2項AlN拋光片測試方法徵求意見

2025年1月23日，由奧趨光電技術（杭州）有限公司牽頭起草的標準T/CASAS 053—202X《氮化鋁芯片位錯密度檢測方法 腐蝕坑密度測量法》、由中國科學院半導體研究所牽頭起草的標準T/CASAS 054—202X《氮化鋁芯片吸收係數測試方法》已完成徵求意見稿的編制，正式面向聯盟成員單位徵求意見，爲期一個月。徵求意見稿已經由祕書處郵件發送至聯盟成員單位。非聯盟成員單位如有需要，可發郵件至casas@casa-china.cn。

T/CASAS 053—202X《氮化鋁芯片位錯密度檢測方法 腐蝕坑密度測量法》描述了用擇優化腐蝕技術測試氮化鋁拋光片中位錯密度的方法，包括方法原理、儀器設備、測試條件、樣品、測試步驟、結果計算和測試報告。本文件適用於拋光加工後位錯密度小於10*7 個/cm²的氮化鋁拋光片位錯密度的測試，適用於1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直徑氮化鋁拋光片的測試。氮化鋁外延片可參照使用。

T/CASAS 054—202X《氮化鋁芯片吸收係數測試方法》描述了氮化鋁（AlN）拋光片光吸收係數的測試方法，包括原理、儀器設備、測試條件、樣品、測試步驟、結果計算和測試報告。本文件適用於氮化鋁拋光片的光學質量控制和評估。氮化鋁外延片可參照使用。

（轉自：第三代半導體產業）

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