【TechWeb】2月20日消息，據外媒報道，三星電子副會長兼聯席CEO，負責存儲芯片、晶圓代工等芯片業務的設備解決方案業務部門主管全永鉉（Jun Young Hyun），在上週到訪了英偉達的總部。從外媒的報道來看，全永鉉上週前往英偉達的總部，是有重要的業務，他攜帶有他們改進了設計的1b DRAM樣品，1b DRAM將用於製造高帶寬存儲器（HBM）。1b DRAM是第五代10nm製程工藝的DRAM...
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