智通財經APP獲悉，中信證券發佈研究報告稱，原廠控產、產品結構升級之下，近期主流存儲現貨市場價格趨穩，部分低端料號微漲。隨原廠控產影響顯現，行業庫存逐步消化，AI拉動需求提升，預計主流NAND Flash 價格有望於25Q2開漲，DRAM價格有望於25H2企穩向好，存儲模組漲價早於晶圓端，國內模組廠商主要佈局NAND產品，25Q2有望迎利潤拐點，低價存貨有望帶來利潤彈性，估值有望率先提升，建議關注模組環節投資機會。

價格追蹤：24H2起存儲價格下跌，近期部分低端料號現貨上漲/波動。

——DRAM：周度現貨價格中DDR4 16Gb/8Gb部分料號自2024年底至今波動上漲約6%，自2025年1月DDR4 8Gb/4Gb月度價格上漲5%/2%，其他DDR4價格底部徘徊，DDR3/DDR5價格跌幅持續收窄。本週DDR5日度現貨價格微漲。

——NAND：現貨市場32GB eMMC產品價格上漲，上游256Gb TLC NAND Flash Wafer價格小漲，更大容量的wafer及嵌入式、SSD價格仍跌。

供給變動：價格企穩及上漲預期主要受益原廠稼動率調降及減少低端產品供應。

——NAND：海外大廠減產逐步顯現，主流NAND有望於25Q2開始漲價。海外大廠於2024年12月至2025年1月陸續公告減產10-15%，同時加快將產能向200層以上產品遷移，低價產品供應減少。

——DRAM：海外大廠聚焦高端存儲，DDR3/DDR4供給有望逐步減少，DRAM價格有望於25H2企穩向好。預計2025年HBM佔全球DRAM總產能將超過10%，2025年HBM佔DRAM市場產值有望超30%。海外大廠聚焦HBM市場，退出DDR3後有望持續削減DDR4供應，行業供需有望改善。

價格展望：主流NAND Flash有望於25Q2開漲，漲價節奏來看，預計NAND Flash早於DRAM，模組環節早於晶圓環節，主流存儲漲價早於利基存儲。

25Q1原廠控產影響逐步顯現，行業庫存方面，經過兩個季度調整手機客戶庫存趨於健康，25Q2有望逐步增大對低價存儲的備貨，此外雲端及端側AI共振，對存儲需求拉動預計在25H2更爲顯著。據TrendForce預計，25Q1/25Q2/25Q3/25Q4 NAND Flash價格分別-18%~-13%/ 0~-5%/ +10%~+15%/ +8%~+13%，該口徑包含晶圓及成品，預計在下游拉貨下NAND模組成品有望於25Q2起漲價，DRAM價格有望於25H2企穩向好，存儲模組漲價早於晶圓端。

風險因素：

下游需求不及預期;海外大廠產能調控不及預期;國產存儲芯片客戶拓展不及預期;地緣政治風險等。