據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州聖何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產，早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。

Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作，從而節省時間和成本。英特爾工廠的早期結果顯示，High NA EUV 機器只需要一次曝光和“個位數”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處理步驟的工作。目前英特爾已經利用High NA EUV光刻機在一個季度內生產了3萬片晶圓。

資料顯示，ASML的High NA EUV（EXE:5000）的分辨率爲 8nm，可以實現比現有EUV光刻機小1.7倍物理特徵的微縮，從將單次曝光的晶體管密度提高2.9倍，可以使芯片製造商能夠簡化其製造流程。晶圓生產速度達到了每小時400至500片晶圓，是當前標準EUV每小時200片晶圓的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，將進一步提升產能，並降低成本。

英特爾此前就曾表示，High NA EUV光刻機將會首先會被用到其最新的Intel 18A製程的相關開發，預計基於Intel 18A製程的PC芯片將於今年下半年量產。此外，英特爾還計劃在下一代的Intel 14A製程中全面導入High NA EUV設備來進行生產，但英特爾尚未公佈該製程的量產時間。

編輯：芯智訊-浪客劍

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