英特爾首批兩臺High NA EUV光刻機投產,單季生產3萬片晶圓

愛集微
02-25

英特爾表示,ASML的首批兩臺尖端光刻機已在其工廠“投入生產”,早期數據顯示,它們比早期型號更可靠。

在加利福尼亞州聖何塞舉行的一次會議上,英特爾高級首席工程師Steve Carson表示,英特爾利用ASML的高數值孔徑(High NA)EUV光刻機,在一個季度內生產30000片晶圓,這種大型硅片可以生產數千個計算芯片。

2024年,英特爾成爲全球第一家接收這些光刻設備的芯片製造商,預計這些設備將能夠比早期ASML設備生產更小、更快的計算芯片。此舉是英特爾戰略的轉變,英特爾在採用上一代極紫外(EUV)光刻機方面落後於競爭對手。

據悉,每臺High NA EUV光刻機售價約3.5億美元(約合人民幣25.4億元),遠高於ASML標準EUV系列的1.8億~2億美元。

英特爾花了七年時間纔將這些早期設備投入全面生產,這導致它失去領先地位,落後於臺積電。在生產的初始階段,英特爾在之前的EUV型號的可靠性方面遇到困難。

然而,Steve Carson表示,在初步測試中,ASML的新型High NA EUV設備可靠性大約是上一代的兩倍。

“我們以穩定的速度生產晶圓,這對平臺來說是一個巨大的好處,”Steve Carson說。

新的ASML EUV設備使用光束將特徵打印到芯片上,也可以使用更少的曝光完成與早期設備相同的工作,從而節省時間和金錢。

Steve Carson說,英特爾工廠的早期結果表明,High NA EUV設備只需一次曝光和“個位數”的處理步驟就可以完成早期設備需要三次曝光和大約40個處理步驟才能完成的工作。

英特爾表示,計劃使用High NA EUV設備來幫助開發Intel 18A(1.8nm)製造技術,該技術計劃於今年晚些時候與新一代PC芯片一起量產。

該公司表示,計劃利用High NA EUV設備全面投入下一代製造技術Intel 14A(1.4nm)的生產,但尚未透露該技術的量產日期。(校對/李梅)

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