在上週的國際固態電路會議（ISSCC）上，三星電子DS部門CTO宋在赫展示了多項前沿技術，包括晶圓鍵合、低溫蝕刻和鉬應用。這些技術將首先應用於400層NAND閃存，並有望實現超過1000層的堆疊。通過晶圓鍵合技術，三星計劃突破單個晶圓500層的限制，採用多片晶圓堆疊的方式，如“Multi-BV NAND”結構，堆疊四片晶圓以打破結構限制。此外，三星還展示了低溫蝕刻技術，該技術能夠在極低溫度下...
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