來源：EETOP

英特爾已調整了位於俄亥俄州紐奧爾巴尼、利金縣的“俄亥俄一號”半導體制造基地的建設計劃，將其投產時間推遲至下個十年。第一階段（Mod 1）現計劃於2030年完工，生產預計在2030年至2031年間啓動。第二階段（Mod 2）預計於2031年完成，2032年開始運營。公司正在放緩工廠建設速度，以使其投資節奏與市場需求保持一致。不過，英特爾強調，如果需要，其仍可加快建設進度。

英特爾最初計劃在2025年完成俄亥俄基地的第一階段建設，該基地曾被稱爲“硅谷之心”。然而，由於市場需求不明確的大背景下鉅額投資，英特爾將第一模塊的完工時間推遲至2027或2028年。如今，公司認爲其俄亥俄工廠的需求要到2030年及以後纔會顯現。此次延期表明，英特爾預計其生產能力需求不會在短期內激增，這可能不是一個特別樂觀的信號。但另一方面，英特爾目前無需在俄亥俄基地投入巨資，這對其財務狀況來說是個好消息，因爲公司正努力恢復盈利能力。生產設備投資是半導體制造工廠中最爲昂貴的部分，通過推遲這些投資，英特爾大幅削減了2025年至2028年間的資本支出。

即將建成的園區將佔地約1000英畝（4平方公里），可容納多達八座半導體制造工廠，併爲支持運營和產業合作伙伴提供空間。英特爾此前估計，全面開發該基地將需要約1000億美元的投資。第一輪投資定爲約280億美元。

鑑於俄亥俄一號（或“硅谷之心”）晶圓廠的新時間表，預計新設施將採用公司在14A和14A-E之後開發的工藝技術，後者目前計劃於2026至2027年間推出。這些節點將依賴ASML的Twinscan EXE:5200或更先進的高數值孔徑（High-NA）EUV工具，每臺價格高達3.5億美元。

英特爾執行副總裁、全球運營首席官兼英特爾代工製造業務總經理納加·錢德拉塞卡蘭（Naga Chandrasekaran）在給員工的信中寫道：“我們正採取審慎的態度，確保以財務負責的方式完成項目，爲‘俄亥俄一號’的未來成功奠定基礎。我們將以較慢的節奏繼續建設，同時保留根據客戶需求加速施工和運營啓動的靈活性。但我想對大家坦誠透明，說明我們當前的計劃。”

值得注意的是Naga Chandrasekaran是英特爾去年7月剛剛從美光挖過來的，也是印度裔，看來英特爾依然還是對印度裔高管情有獨鍾，希望寄予英特爾能在這位印度裔工藝高管的帶領下，趕超三星、緊追臺積電。

英特爾於2022年開始該基地的建設工作。此後，現場施工進展顯著。項目最近達成一個里程碑，地下基礎施工已完成，地上建築施工也已啓動。據英特爾介紹，自施工開始以來，該基地已接收36批超大貨物（截至2月4日），包括四批含工廠空氣分離裝置的超大型貨物。項目已投入超過640萬工時，涵蓋地下管道、超過20萬立方碼的混凝土以及次級公用設施溝（SUTs）等關鍵安裝工作。辦公建築的建設也在逐步成型。

關於俄亥俄工廠的一個有趣細節是，儘管時間表有所調整，招聘工作已然啓動。俄亥俄的員工正在亞利桑那州、新墨西哥州和俄勒岡州接受培訓，爲當地工廠的啓動做準備。據推測，英特爾正在培訓員工安裝生產工具和其他機械設備。隨着運營日期的臨近，勞動力計劃預計將進一步擴大。

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