有投資者向時代電氣提問， 2024 年 12 月發佈 1200V SiC MOSFET 工程樣品，效率較 IGBT 提升 5%，損耗降低 15%。請問該樣品目前是否已經進入客戶試用階段？客戶反饋如何？預計何時能實現量產？ 什麼時候會啓動 8 英寸 SiC 襯底研發？公司回答表示，尊敬的投資者您好！公司正在加強SiC相關產品的研發和製造。
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