臺積電(TSM.US)加碼投資美國1000億美元 華爾街分析師齊聲唱多

智通財經網
昨天

3月4日,臺積電(TSM.US)宣佈,除了目前在亞利桑那州的投資外,計劃在美國再投資1000億美元,用於興建三家晶圓廠、兩家先進封裝廠以及一個研發中心。這將使臺積電在美國的總投資達到1650億美元。這一消息在華爾街引發積極反響。

高盛予臺積電“買入”評級,臺股目標價爲新臺幣1400元,ADR目標價爲259美元。

高盛認爲,臺積電進一步增加在美國的投資並不令人意外。此次決策旨在平衡降低生產集中風險(目前95%的產能位於中國臺灣)與滿足美國客戶需求的雙重目標,同時也響應了美國政府提升本土芯片製造能力的政策導向。

高盛強調,更重要的是,儘管在美國增加投資,臺積電的長期毛利率指引仍保持在“53%及以上”。

儘管有媒體報道稱臺積電與英特爾可能成立合資企業,但高盛認爲這種合作幾乎沒有戰略價值。臺積電的新公告沒有提到與另一家公司成立合資企業。臺積電強調在美國擴大先進半導體制造和研發的計劃,表明該公司致力於保持獨立性,並避免參與可能損害其與其他客戶中立地位的合資企業。

高盛看好臺積電,相信該公司堅實的技術領先地位和執行力使其比同行更能抓住行業的長期結構性增長機會,特別是在人工智能/5G/高性能計算/電動汽車等領域。此外,估值看起來很有吸引力。

摩根大通維持對臺積電臺股的“增持”評級,目標價爲新臺幣1500元。

摩根大通表示,臺積電的擴張計劃基本與該行此前的預期一致,此舉緩解了臺積電投資者在過去2-3周內關注的兩大風險因素:半導體關稅升級的風險,以及參與英特爾“救援計劃”的潛在運營困境。摩根大通認爲這是目前情況下臺積電可能採取的最佳行動。

摩根大通預計,臺積電的資本支出在2025-2026年可能略有上升,主要集中在基礎設施建設上,晶圓製造設備支出不會顯著增加。長期來看,到2028-2030年,臺積電的年度資本支出預計將達到700億至750億美元,累計支出可能在3500億美元左右。在這種背景下,摩根大通認爲,臺積電在美國增加1000億美元投資並不是一個不切實際的目標。

考慮到美國總統特朗普的言論,摩根大通認爲美國芯片法案和投資稅收抵免(ITC)面臨不確定性。摩根大通認爲,如果ITC條款到期,臺積電可能會進一步提高價格,以證明其在美國的投資是合理的,但利潤率可能面臨更多不利影響。與此同時,與臺積電相比,英特爾等同樣依賴於芯片法案補貼的其他供應商可能會面臨更大壓力,因爲它們的成本結構更差。因此,臺積電在美國晶圓廠的競爭優勢不太可能改變。

摩根大通表示,臺積電的擴張計劃預計將減少美國對半導體進口的關稅威脅,爲臺積電在美國市場提供更公平的競爭環境。摩根大通還認爲,臺積電此次大規模投資計劃使其參與英特爾“救援計劃”的可能性大幅降低,從而減少了運營和管理風險。

摩根士丹利重申對臺積電臺股的“增持”評級,目標價爲新臺幣1388元。

摩根士丹利也認爲臺積電擴大在美投資並不令人意外。摩根士丹利曾在今年2月發佈的報告中提到,臺積電可能會進一步擴張美國晶圓廠,旨在滿足美國客戶對降低關稅風險的要求。

臺積電此前曾提到,海外工廠可能會導致毛利率稀釋2-3個百分點,摩根士丹利認爲這一影響已經反映在預期中,因此不會對未來的毛利率預測造成額外風險。

摩根士丹利建議投資者進一步增持臺積電股票,因爲該公司在美國的擴張將緩解投資者對潛在關稅和英特爾合資企業的擔憂。

責任編輯:山上

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