據韓媒FNnews報道,三星電子近日在其華城園區引入了ASML生產的High NA極紫外光刻(EUV)設備,旨在提升2納米及以下製程的競爭力。ASML的High NA EUV設備“EXE:5000”是全球唯一能夠提供此類設備的供應商,單臺價格高達5000億韓元。該設備通過增大透鏡和反射鏡尺寸,將數值孔徑(NA)從0.33提升至0.55,顯著提高了光刻精度,是2納米及以下製程的必備工具。與現有EUV...
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