智通財經APP獲悉，信達證券發佈研報稱，國內廠商在加速推進大模型應用。2025年初，各NANDFlash原廠均採取更爲堅決的減產措施，縮減全年投產規模，期待有效降低供應位元增長率，此舉有助於快速減輕市場供需失衡的壓力，爲價格反彈鋪定基礎。由於原廠逐步退出DDR3/DDR4競爭，關注CUBE窗口期替代機遇。相關設備發佈有望爲邊緣AI設備帶來更明顯的成本優勢，拓寬了DDR4的應用範圍。該行建議關注存儲模組、存儲芯片相關股票。

信達證券主要觀點如下：

全球大廠capex大增，需求端有望提升

據數據，2025年Meta、谷歌、亞馬遜和微軟的合計資本開支預計達2972億美元，同比增長36.8%。微軟近期雖調整部分數據中心租約策略，但其明確表示未來三年將保持基礎設施投資強度，2024財年已投入超800億美元。這一投入方向與AI算力需求的長期增長趨勢一致。阿里巴巴宣佈未來三年將投入3800億元用於雲和AI基礎設施建設，創下國內民營企業同類投資紀錄。其通義千問大模型家族衍生模型數量超9萬個，成爲全球最大開源模型社區之一。騰訊、百度等企業則加速推進DeepSeek大模型的行業應用，覆蓋政務、金融、醫療等領域。2025年，國內三大廠商(騰訊、百度、阿里巴巴)資本開支預計同比增長19.1%，達154.2億美元。

存儲原廠積極減產，有望推動存儲價格進入上行區間

自2023年起，各大NANDFlash原廠已深刻認識到供給過剩對產業造成的嚴重衝擊，供應商需積極調整生產策略，以避免價格下行週期持續擴大。2025年初，各NANDFlash原廠均採取更爲堅決的減產措施，縮減全年投產規模，期待有效降低供應位元增長率，此舉有助於快速減輕市場供需失衡的壓力，爲價格反彈鋪定基礎。其中，三星已於2024年底決定降低西安工廠的NAND閃存產量，削減幅度達到10%以上，此外還調低了華城12號和17號生產線的產量，以期進一步控制整體產量。根據TrendForce預測顯示，今年一季度隨着三星等原廠減產、智能手機庫存去化、AI及DeepSeek效應帶來的需求增長，NANDFlash供需結構將有望顯著改善，三季度NANDFlash有望環比上漲10-15%，四季度有望繼續增長8-13%。

原廠逐步退出DDR3/DDR4競爭，關注CUBE窗口期替代機遇

根據DIGITIMES，由於DRAM價格正因需求疲軟而下跌，DRAM三大原廠三星、SK海力士和美光有意把生產資源集中在DDR5與高帶寬存儲器(HBM)，因而將在2025年內停產DDR3和DDR4。華邦電等宣佈推出CUBE(定製化超高帶寬組件)新內存解決方案，通過大幅優化內存技術，展現高性能的邊緣AI運算能力，幫助客戶在主流應用場景中完成邊緣AI計算的應用，相當於4至32個LP-DDR4x 4266Mbps x16IO帶寬，有機會最小化SoC芯片尺寸，進而省下TSV面積損失，有望爲邊緣AI設備帶來更明顯的成本優勢，拓寬了DDR4的應用範圍。

風險因素：下游需求不及預期風險;上游原廠供給過剩風險。