IT之家 3月18日消息，據臺媒digitimes今日消息，SK海力士預計將獨家供應英偉達Blackwell Ultra架構芯片第五代12層HBM3E，預期與三星電子、美光的差距將進一步拉大。

SK海力士於去年9月全球率先開始量產12層HBM3E芯片，實現了最大36GB容量。12層HBM3E的運行速度可達9.6Gbps，在搭載四個 HBM 的 GPU 上運行‘Llama 3 70B’大語言模型時每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數的水平。

IT之家注意到，去年11月，SK集團會長崔泰源表示，英偉達CEO黃仁勳要求SK海力士提前六個月供應被稱爲HBM4的下一代高帶寬內存芯片。

SK海力士計劃在2025年下半年推出採用12層DRAM堆疊的首批HBM4產品，而16層堆疊HBM稍晚於2026年推出。

彭博社知情人士今年2月透露，三星電子公司已獲得批准向英偉達供應其高帶寬存儲芯片8層HBM3E。雖然該批准標誌着三星向前邁進了一步，但它在高帶寬內存（HBM）技術方面仍然落後於SK海力士和美光科技等競爭對手。

而美光方面，美光執行副總裁兼首席財務官 Mark Murphy 今年 2 月透露，該公司的 12 層堆疊 HBM 內存產品（12Hi HBM3E）即將放量。