金融界2025年3月29日消息，國家知識產權局信息顯示，應用材料公司申請一項名爲“改進的鍺蝕刻系統和方法”的專利，公開號 CN 119694885 A，申請日期爲2018年8月。

專利摘要顯示，用於蝕刻含鍺材料的示例性方法可以包括在半導體處理腔室的遠程等離子體區域中形成含氟前驅物的等離子體。方法可以包括：使含氟前驅物的流出物流過腔室部件中限定的孔。孔可以被塗覆有催化材料。方法可以包括用催化材料來降低等離子體流出物中的氟自由基的濃度。方法還可包括將等離子體流出物遞送到半導體處理腔室的處理區域。具有含鍺材料的暴露區域的基板可以被容置在處理區域內。方法還可包括蝕刻含鍺材料。