4月1日，意法半導體（簡稱：ST）官宣與英諾賽科共同宣佈簽署了一項氮化鎵技術開發與製造協議。雙方將充分發揮各自優勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。據悉，根據協議，雙方將合作推進氮化鎵功率技術的聯合開發計劃，並在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車、工業電源系統等領域得到廣泛應用的光明前景。此外，根據協議約定，英諾賽科可藉助意法半導體在中國以外地區的前端製造產能生產其氮化...
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