全球終端市場仍未全面復甦，半導體產業競爭態勢日趨激烈，與此同時AI驅動半導體產業需求提升、技術升級，這一背景下，廠商正加速半導體先進製程與先進封裝等技術突圍。近期市場傳出新進展：英特爾18A製程進入風險生產階段；Rapidus計劃推出2納米芯片樣品；三星加速推進2nm工藝研發；臺積電先進製程、先進封裝齊發力。

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英特爾18A製程進入風險生產階段

在近期的Intel Vision 2025大會上，英特爾正式宣佈其18A製程技術已經進入風險生產階段。隨着18A製程的推進，英特爾即將推出的新一代處理器“Panther Lake”預計在今年開始量產。

業界透露，“風險生產”指在正式大規模量產之前的一個重要階段，晶圓廠會開始小批量試生產採用新制程的芯片，目的是驗證製程的穩定性、良率以及設計規則的正確性，爲後續的大規模量產打下堅實的基礎。風險生產到最終的成熟量產還有一段路要走，期間可能會遇到一些問題，但能夠走到這一步，已經足以證明英特爾在先進製程技術上的實力和決心。

資料顯示，英特爾18A製程最大的亮點在於採用了兩項突破性的技術：RibbonFET和PowerVia。

RibbonFET是一種全新的晶體管結構，也被稱爲Gate-All-Around(GAA)技術。相較於傳統的FinFET（鰭式場效應晶體管），RibbonFET將通道材料包裹在閘極的四個側面，就像一條條納米級的“緞帶”。這種設計能夠更有效地控制電流的開關，減少漏電，並在更小的空間內實現更高的性能和能效。可以說，這是晶體管結構上的一次重大革新，爲未來更微小的製程節點鋪平了道路。

PowerVia則着眼於芯片的供電方式。傳統上，電源和訊號的互連都是在芯片的同一側進行，這可能會導致訊號擁塞和電壓下降。PowerVia則將電源互連轉移到芯片的背面，透過直接連接的方式爲晶體管供電。這樣一來，正面的空間可以完全用於訊號佈線，從而提高訊號傳輸效率，降低功耗，並提升整體性能。

英特爾透露，與Intel3製程相比，18A製程的每瓦性能將提升高達15%，芯片密度將提高30%。這些顯著的改進將直接轉化爲英特爾在各種產品領域的競爭優勢。

業界指出，英特爾的18A製程在技術上與臺積電的N2（2納米級）製程相當。英特爾的18A製程可能在性能方面更具優勢，而臺積電的N2製程則可能提供更高的晶體管密度。英特爾的PowerVia背面供電技術是其獨特的優勢，臺積電預計要到更晚的A16製程（2026-2027年）纔會採用類似技術。

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Rapidus計劃推出2納米芯片樣品

4月1日，日本半導體公司Rapidus宣佈，2025財年計劃和預算已獲日本新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）批准，將於4月啓動2納米芯片試製生產線，目標2027年量產。

業界指出，2納米是目前最先進的半導體制造工藝之一，如果Rapidus能夠成功推出並量產2納米芯片，將標誌着日本在半導體制造技術上取得了重大突破，縮小了與臺積電、三星等領先企業的差距。

Rapidus計劃推出2納米芯片樣品無疑是日本半導體復甦進程中的一個重要里程碑，展現了其重振雄風的決心和潛力。

但要指出的是，推出樣品和實現大規模量產之間存在巨大的差距，Rapidus和日本半導體產業仍然面臨技術、資金和供應鏈等多重挑戰。

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三星加速推進2nm工藝研發

三星在3nm工藝節點上遭遇一些挫折，但並不影響其持續發力先進製程的決心。

最新消息顯示，三星即將量產全球首款2nm芯片：Exynos 2600，計劃在2025年5月進入原型量產階段。明年年初發布的三星Galaxy S26系列，將成爲首款搭載該芯片的機型。

Exynos 2600基於三星SF2工藝製造，這是三星第一代2nm製程，相較於3nm工藝，SF2在相同計算頻率和複雜度下可降低25%的功耗，同時提高12%的計算性能，並減少5%的芯片面積。

良率方面，據悉目前Exynos 2600良品率爲30%，但隨着量產進程的推進，良率有望持續上升。與此同時，三星也要在保持高性能的同時嚴格控制功耗。

除了上述產品外，三星未來還規劃了包括SF2P、SF2X、SF2Z和SF2A等在內的多個節點，面向高性能計算、人工智能和汽車應用。

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臺積電先進製程、先進封裝齊發力

3月31日，臺積電於高雄廠區（Fab 22）舉行“2納米擴產典禮”，宣告二期（P2）廠房上樑儀式後完成結構體工程。

臺積電執行副總暨共同營運長秦永沛表示，高雄加上臺南廠區將成爲”全球最大的半導體制造服務聚落”，2納米制程並依計劃進展良好，2025年下半年將進入量產。相較3納米技術，臺積電2納米在相同功耗下速度提升了10%～15%；相同速度下功耗降低了25%～30%。

目前高雄廠區共規劃五期廠房，工程進度如期，第一期（P1）廠房已進行裝機；第二期廠房上樑儀式後，正式完成結構體工程；第三期（P3）廠房已開始展開結構體工程；第四期（P4）及第五期（P5）廠房亦於本月通過環評審查。

爲滿足高性能芯片市場需求，臺積電積極佈局先進製程與先進封裝產能。近期，臺積電位於臺灣地區南部科學園區的先進封裝AP8廠舉行了擴廠典禮 。此次擴廠的主要目的是提升先進封裝產能，特別是針對CoWoS技術 。

AP8廠是臺積電目前最大的先進封裝廠，其無塵室面積接近10萬平方米。爲了滿足AI客戶對先進封裝CoWoS產能的迫切需求，臺積電正積極改造該廠，並動員多家供應鏈廠商參與設備進機 。設備安裝預計最早於2025年4月開始，並可能在下半年開始量產 。

根據TrendForce集邦諮詢的預估，包含AP8廠、先前收購自羣創的廠房以及臺中廠的產能，臺積電2025年的CoWoS月產能有望達到創紀錄的7.5萬片晶圓，幾乎是2024年的兩倍 。

除了臺積電之外，包括英特爾和三星在內的其他主要廠商也在大力投資先進封裝技術，以提供整合的解決方案 。英特爾的EMIB和Foveros技術，以及三星的I-Cube和X-Cube技術，都旨在與臺積電的CoWoS技術競爭。這也意味着，AI時代下半導體市場的競爭不只有先進製程，先進封裝也是一大看點，廠商的佈局值得關注。

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