金融界2025年4月5日消息，國家知識產權局信息顯示，江蘇東海半導體股份有限公司取得一項名為「一種多槽式4H-SiC MOSFET器件」的專利，授權公告號 CN 118213402 B，申請日期為2024年1月。

天眼查資料顯示，江蘇東海半導體股份有限公司，成立於2004年，位於無錫市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業為主的企業。企業註冊資本8150萬人民幣，實繳資本8149.999955萬人民幣。通過天眼查大數據分析，江蘇東海半導體股份有限公司參與招投標項目6次，財產線索方面有商標信息6條，專利信息221條，此外企業還擁有行政許可29個。