比亞迪申請半導體熱場結構件及其製備方法專利,使塗層不易脫落

金融界
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金融界2025年4月5日消息,國家知識產權局信息顯示,比亞迪股份有限公司申請一項名爲“半導體熱場結構件及其製備方法”的專利,公開號CN 119753624 A,申請日期爲2024年7月。專利摘要顯示,一種半導體 熱場結構件及其製備方法。製備方法包括以下 步驟:基材準備步驟,準備碳質基材,並將碳質 基材置於反應容器;製備碳化硅層步驟,通過 化學氣相沉積在碳質基材的表面形成碳化硅 層;製備碳化鉭層步驟...

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