比亞迪申請 3C-SiC 外延片及其製備方法專利,製得致命缺陷密度明顯較低的 3C-SiC 外延片

金融界
11小時前

金融界 2025 年 4 月 5 日消息,國家知識產權局信息顯示,比亞迪股份有限公司申請一項名爲“3C-SiC 外延片及其製備方法”的專利,公開號 CN 119753832 A,申請日期爲 2024 年 1 月。專利摘要顯示,本發明涉及碳化硅材料技術領域,公開了一種 3C‑SiC 外延片及其製備方法。該方法包括以下步驟:(1)對硅襯底進行第一刻蝕;(2)在刻蝕後的硅襯底表面上形成第一碳化緩衝層;(...

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