美光在今年的MWC 2025上推出了全球首款基於G9 NAND技術的UFS 4.1和 UFS 3.1移動存儲解決方案，支持Zoned UFS、數據碎片整理、Pinned WriteBooster、ILT（智能延遲跟蹤器）等固件功能，以滿足當今旗艦智能手機所需要得高速和高容量存儲的需求。同時憑藉更小的封裝尺寸，G9 NAND技術還能迎合超薄和摺疊機型緊湊的內部設計。近日，美光對該技術作出進一步的解釋，明確了具體的提升效果。

基於G9 NAND技術的SSD產品已於2024年推出

據官方介紹，G9 UFS 4.1移動存儲芯片將提供超過4100MBps的順序讀寫速度，提供1TB的大容量選項。相比G8 UFS 4.0（512G容量版本），它的順序寫入速度提升超過15%，隨機讀取/寫入速度提升近10%，並減少長延遲（200ms+）的分配，帶來更快的數據處理以及更流暢的響應體驗。不僅如此，1TB的G9 UFS 4.1移動存儲芯片的封裝尺寸僅爲9x13x 0.85mm，處於業界領先級別。

美光G9 NAND技術的專有固件功能同樣發揮着重要的作用，能夠有效優化數據存儲設備中的存儲方式和位置，提升數據處理效率。

數據碎片整理功能允許UFS設備的控制器繞過主機層，直接在NAND內部發出碎片整理命令，從而解決了手機由於數據碎片化造成的運行速度變慢的問題。通過簡化數據重新定位，數據碎片整理可以將讀取速度提高至60%，優化智能手機的整體性能，包括日常任務以及與AI相關的任務。

Pinned WriteBooster功能允許手機處理器從存儲設備的指定區域“固定”經常使用的數據，以便更輕鬆地將重要數據從存儲動態加載到內存，從而確保在不過載內存容量的情況下進行更高效的處理。據官方測試得出，啓用此功能後，隨機讀取速度最多可提高30%。

ILT（智能延遲跟蹤器）會監控系統和存儲設備的I/O存儲延遲，以檢測和分析影響手機性能的異常延遲，例如應用程序啓動緩慢。通過識別這些延遲問題，它可以幫助手機OEM廠商優化系統並改善整體用戶體驗。此功能可確保手機運行AI應用程序和日常任務（如打開相機或在圖庫中查找照片）時有較快的響應速度。

Zoned UFS的工作方式與我們對行李箱進行合理的分類擺放以便更快地找到需要的東西的操作類似，它將具有相似I/O特性的數據整理到UFS設備內的特定區域，通過最大限度地減少搜索數據所花費的時間，確保了更快、更流暢的系統性能。