金融界2025年4月11日消息，國家知識產權局信息顯示，晶芯成（北京）科技有限公司申請一項名爲“一種Fin FET器件及其製造方法”的專利，公開號CN 119789479 A，申請日期爲2025年3月。

專利摘要顯示，本申請公開了一種Fin FET器件及其製造方法，涉及半導體器件技術領域，Fin FET器件包括：半導體襯底；位於半導體襯底上的鰭形結構，鰭形結構在第一方向延伸；阱區，位於鰭形結構的下部；STI結構，位於半導體襯底上，且位於相鄰的阱區之間；柵疊層結構，在與第一方向相交的第二方向延伸，柵疊層結構橫跨鰭形結構的上部，分別與鰭形結構上部的側壁和頂部接觸；以及源區和漏區，位於鰭形結構上部，且位於柵疊層結構兩側；其中，STI結構中具有氣隙，氣隙在第二方向延伸，且柵疊層結構位於STI結構表面的部分與STI結構中的氣隙相對。本申請通過在STI結構中設置氣隙，減小Fin FET器件的寄生電容。

天眼查資料顯示，晶芯成（北京）科技有限公司，成立於2020年，位於北京市，是一家以從事科技推廣和應用服務業爲主的企業。企業註冊資本20萬人民幣，實繳資本20萬人民幣。通過天眼查大數據分析，晶芯成（北京）科技有限公司專利信息200條，此外企業還擁有行政許可1個。