IT之家 4月9日消息，根據首爾經濟日報報道，三星電子開始研發1.0nm晶圓代工工藝，以圖在與臺積電的競爭中實現“技術翻盤”。

▲ 三星、臺積電預測路線圖，圖源首爾經濟日報

根據該日報報道，三星電子半導體研究所近日正式着手研發1.0nm工藝，部分曾參與2nm等尖端製程的研發人員被抽調，組建了專項項目團隊。在目前三星公開的晶圓代工工藝路線圖中，計劃於2027年量產的1.4nm工藝爲目前最尖端的工藝。

根據該日報所述，1nm工藝需要打破現有設計框架，引入新技術概念，以及引入高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）曝光設備等下一代設備。三星預計，量產時間將在2029年之後。

目前，三星在量產中的3nm工藝，以及預計在今年量產的2nm工藝，首爾經濟日報認爲技術上仍落後於臺積電，尤其是2nm工藝方面，臺積電的良率已突破60%，存在顯著差距。因此，三星對1nm工藝寄予厚望，三星會長李在鎔上月向高管們強調要“延續重視技術的傳統”，並表示“以前所未有的技術引領未來”。

根據IT之家此前援引韓媒The Bell報道，三星目前最新的2nm SF2工藝初始良率“高於預期”，搭載該工藝的Exynos 2600芯片試產良率爲30%。