比亞迪半導體申請碳化硅功率器件元胞結構及其製備方法、半導體器件專利,增加源極結構提供更多載流子

金融界
2025/04/22

金融界2025年4月22日消息,國家知識產權局信息顯示,比亞迪半導體股份有限公司申請一項名為「碳化硅功率器件元胞結構及其製備方法、半導體器件」的專利,公開號CN119855208A,申請日期為2024年10月。專利摘要顯示,本申請實施例公開一種碳化硅功率器件元胞結構及其製備方法、半導體器件,屬於半導體技術領域。碳化硅功率器件元胞結構包括基底;柵極結構,柵極結構包括至少兩個第一柵極結構,至少兩個第一...

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