金融界2025年4月22日消息，國家知識產權局信息顯示，比亞迪半導體股份有限公司申請一項名爲“碳化硅功率器件元胞結構及其製備方法、半導體器件”的專利，公開號CN119855208A，申請日期爲2024年10月。

專利摘要顯示，本申請實施例公開一種碳化硅功率器件元胞結構及其製備方法、半導體器件，屬於半導體技術領域。碳化硅功率器件元胞結構包括基底；柵極結構，柵極結構包括至少兩個第一柵極結構，至少兩個第一柵極結構間隔設置於基底內；源極結構，源極結構設置於基底，並至少環繞兩個第一柵極結構的部分側面；位於兩個第一柵極結構之間的部分源極結構朝向基底的底面延伸，以形成凸出結構，凸出結構的部分構成電場屏蔽結構。本申請增加源極結構，可以更好的屏蔽柵氧電場，另外，源極結構的增加可以提供更多的載流子，並且面積的增加可以進一步減少源極結構的濃度，從而適當增加器件的抗短路能力。

天眼查資料顯示，比亞迪半導體股份有限公司，成立於2004年，位於深圳市，是一家以從事研究和試驗發展爲主的企業。企業註冊資本45621.8756萬人民幣。通過天眼查大數據分析，比亞迪半導體股份有限公司共對外投資了8家企業，參與招投標項目509次，財產線索方面有商標信息3條，專利信息1454條，此外企業還擁有行政許可83個。