金融界2025年4月28日消息，國家知識產權局信息顯示，華虹半導體（無錫）有限公司申請一項名爲“超級結器件的製造方法”的專利，公開號CN119894029A，申請日期爲2025年1月。專利摘要顯示，本申請涉及半導體集成電路製造技術領域，具體涉及一種超級結器件的製造方法。超級結器件的製造方法包括以下步驟：提供半導體基底層，半導體基底層包括芯片區和隔離在芯片區之間的劃片槽區，芯片區的半導體基底層中形成...
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