英特尔宣布，阿斯麦首批两台高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机已经在其工厂投入生产。初步数据显示，其效率、可靠性比上一代EUV光刻机都有明显提升。

Intel资深首席工程师Steve Carson表示，Intel利用先进光刻机已在一季内生产3万片晶圆，这些晶圆可以产出数千颗计算芯片。

这两台光刻机是目前世界上最先进的光刻机，能够比之前的阿斯麦光刻机生产出更小、更快的计算芯片。

去年，Intel成为了全球首家接收这些光刻机的芯片制造商。此举是Intel的战略转变，该公司在采用上一代极紫外 （EUV） 光刻机方面落后于竞争对手。

Intel花了七年时间才将之前的机器全面投入生产，导致其领先优势被台积电超越。 在生产初期，Intel曾因先前那些EUV机型的可靠性问题而遇到挫折。

不过Carson表示，ASML的高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机在初步测试中的可靠性大约是前一代机器的两倍，“我们能以一致速度生产晶圆，这对平台是一大帮助”。

同时，新的光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作，从而节省时间和成本。 Carson指出，Intel工厂的早期结果显示，高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机只需要一次曝光和个位数的处理步骤，即可完成早期机器需要三次曝光和约40个处理步骤的工作。

去年2月份，ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机。

据悉，一套High NA EUV光刻机的大小等同于一台双层巴士，重量更高达150吨，组装起来比卡车还大，需要被分装在250个单独的板条箱中进行运输。

装机时间预计需要250名工程人员、历时6个月才能安装完成。

根据爆料显示，High NA EUV的售价高达3.5亿欧元一台，约合人民币27亿元，它将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。

2023年12月，Intel率先拿下了全球首台High NA EUV光刻机，台积电和三星订购High NA EUV预计最快2026年到货。

公开资料显示，NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。

一般来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光或曝光成形(pattern shaping)技术来辅助。

这样不但会大大增加成本，还会降低良品率。因此，更高数值孔径成为必需。

Intel表示，计划使用High NA EUV光刻机来协助开发其18A制程，该技术预计今年稍晚时随着新一代PC芯片进入量产。

此外，Intel计划在下一代14A制程中全面导入这款设备，但尚未公布该技术量产时间。