氮化镓射频电子器件凭借其高功率、高频率和高效率的特性，在无线通信、新能源汽车和光通信等领域展现出巨大的应用潜力。近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。

分会现场

论坛期间，由国家5G中高频器件创新中心/深圳市汇芯通信技术有限公司，北京国联万众半导体科技有限公司，国家第三代半导体技术创新中心（苏州），苏州思体尔软件科技有限公司，北京北方华创微电子装备有限公司协办支持的“氮化镓射频电子器件与应用”技术分会上，香港科技大学高通光学实验室主任、教授、高武半导体（香港）有限公司创始人俞捷，小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师孙跃，中国科学技术大学微电子学院教授、安徽云塔电子科技有限公司创始人左成杰，西安电子科技大学教授薛军帅，国家5G中高频器件创新中心/深圳市汇芯通信技术有限公司副总经理、CTO许明伟，苏州能讯高能半导体有限公司研发总监张新川，中国科学院半导体研究所副研究员张连，九峰山实验室熊鑫，江南大学集成电路学院博士刘涛，中国科学院微电子研究所张国祥等嘉宾们带来精彩报告，共同探讨氮化镓射频电子器件与应用的进展与趋势。苏州能讯高能半导体有限公司总裁张乃千，中国科学院半导体研究所副所长、研究员张韵共同主持了分会。

嘉宾主持人

张乃千

苏州能讯高能半导体有限公司总裁

张韵

中国科学院半导体研究所副所长、研究员

俞捷

香港科技大学高通光学实验室主任、教授、

高武半导体（香港）有限公司创始人

香港科技大学高通光学实验室主任、教授、高武半导体（香港）有限公司创始人俞捷做了“赋能未来数据中心和6G网络的下一代高端节能半导体芯粒”的主题报告，涉及高端生态半导体芯片的High5核心技术，下一代通信市场机遇（2025-2035），企业光和无线通信市场趋势，GaN充电器和高电源，技术发展路线图，数据中心互连中下一代光通信的高性能驱动器，6G网络和卫星通信无线产品，High5半预期产品等内容。

孙跃

小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师

小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师孙跃做了“移动终端射频功放应用问题探讨”的主题报告，涉及移动通信中关键发射机特性的演变，手机功率放大器模块的研制，手机功放在实际应用中的问题，以及基于WBG的移动通信PA的探讨等。报告指出，随着移动通信的快速发展，手机需要高输出功率、高阶信号调制和高频谱效率。这促使PA设计师开发先进的PA架构和集成封装模块。非线性行为、输出回退（OBO）效率、坚固性、稳定性和封装EMI屏蔽在PA器件设计中值得重视。宽禁带半导体在移动通信领域仍有很大的增长空间。

左成杰

中国科学技术大学微电子学院教授、

安徽云塔电子科技有限公司创始人

射频滤波器主导射频前端市场。中国科学技术大学微电子学院教授、安徽云塔电子科技有限公司创始人左成杰做了“面向6G和Wi-Fi 7 的高频和宽带射频滤波器”的主题报告，结合目前发展趋势，分享了相关研究进展与成果。涉及兰姆波谐振器、耦合SAW谐振器等。

薛军帅

西安电子科技大学教授

《同质外延氮化镓射频电子器件研究进展》

许明伟

国家5G中高频器件创新中心

/深圳市汇芯通信技术有限公司副总经理、CTO

《FLAB：特色射频半导体的技术创新模式探索》

张新川

苏州能讯高能半导体有限公司研发总监

氮化镓非常适合于制造5G毫米波射频前端集成。苏州能讯高能半导体有限公司副总裁裴轶做了“先进射频氮化镓制造中心支持DC-40GHz MMIC代工”的主题报告，6英寸GaN HEMT、高级过程控制、先进的热解决方案、高功率高效率PA等内容。

张连

中国科学院半导体研究所副研究员

《fT/fmax=10.4/7.1GHz 的蓝宝石上AlGaN/GaN异质结双极晶体管》

熊鑫

九峰山实验室

九峰山实验室熊鑫做了“高性能、低成本、小型化集成无源器件技术”的主题报告，分享了集成无源器件IPD技术、九峰山实验室IPD_PDK技术，基于IPD_PDK设计的超宽带功分器等内容。报告显示，基于九峰山实验室工艺平台和自研的IPD工艺Flow，开发了IPD的背孔工艺、空气桥等关键工艺，实现IPD无源器件包括电阻、电容、圆形电感、方形电感等器件。3-20 GHz超宽带功分器采用威尔金森功分器架构，采用三级级联结构拓展带宽，电阻采用TFR电阻，JFS IPD_PDK通过功分器、巴伦等电路设计已完成原理图仿真、版图EM仿真、调谐优化等功能性验证，PDK功能完善且使用便捷，设计的无源电路性能突出，该功分器在超宽带范围内具有良好的回波损耗与插入损耗，以及隔离度，尺寸为1.2 mm*3 mm。

刘涛

江南大学集成电路学院博士

江南大学集成电路学院副教授李杨做了“基于氮化镓肖特基二极管的微波无线能量收集”的主题报告，涉及整流损耗计算、氮化镓肖特基二极管、氮化镓微波整流器及其应用等内容。

报告显示，研究提出了一种用于预测微波整流二极管效率的新型等效电流模型。基于所提模型的分析，并结合氮化镓二极管的工艺设计，已经设计和制造了多种高性能的氮化镓肖特基二极管。展示了基于氮化镓的微波整流器，适用于常见的ISM频段，包括900 MHz、2.4 GHz和5.8 GHz，并介绍了它们的应用，分别实现了最大整流效率92.3%、91%和80%。特别是，GaN-SBD首次应用于微瓦级整流，在0 dBm和-10 dBm时的效率与现有技术水平相比最高。这展示了氮化镓材料在微波无线输电领域巨大的潜力。

张国祥

中国科学院微电子研究所

中国科学院微电子研究所张国祥做了“基于GaN SBD技术的具有快速恢复性能的大功率微波限幅器”的主题报告，分享了GaN SBD技术、GaN SBD MMIC特性等相关研究进展。报告显示，在不同频率下，快速恢复时间在100 W下小于39 ns。由于SBD的多数载流子导通机制，该限制器不仅具有设计方法简单、阈值设计自由度高的优点，而且具有无尖峰泄漏和易于集成的特点。

(根据现场资料整理，仅供参考)

附：IFWS&SSLCHINA2024论坛介绍

2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者，共计2100余名代表注册参会。通过大会、16场主题技术分论坛、5场热点产业峰会、4场强芯沙龙会客厅主题对话、以及第六届先进半导体技术应用创新展（CASTAS）、POSTER展示交流等多种形式的活动，在近30个专题活动、230余个主题报告，台上台下展开探讨，从不同的角度分享前沿技术进展，交流探讨，观点碰撞，探求技术与产业化融合创新与发展之道。

IFWS&SSLCHINA2024论坛上还公布了“2024年度中国第三代半导体技术十大进展”和“9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准”。为行业发展做出了积极贡献的企业/单位颁发了2024年度推荐品牌奖。本届论坛共收到260余篇论文投稿，论坛与IEEE合作，投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。现场展示116篇POSTER海报。经过程序委员会专家，以及参会人的投票，评选出了10篇最佳POSTER奖。在大会闭幕总结仪式现场，现场颁发了最佳POSTER一、二、三等奖及优秀海报奖。

（转自：第三代半导体产业）

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