中国财富网讯近日，在深圳举办的行家说第三代半导体年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛上，数百家企业代表齐聚一堂，共同探讨和见证第三代半导体产业的蓬勃发展。当天的颁奖典礼上，英诺赛科凭借在氮化镓功率半导体领域的卓越贡献和创新实力，荣获“第三代半导体年度标杆领军企业”等三项荣誉，这也是英诺赛科连续第三年获得该奖项的认可。

英诺赛科斩获三项殊荣

　　“行家极光奖”作为行业内极具影响力的奖项，由行家说创办并每年举办一届，旨在表彰在碳化硅和氮化镓领域持续进行技术创新、推动产业进步的企业。本次颁奖典礼特别设立了“十强企业榜单”“年度企业”和“年度优秀产品”三大奖项，以树立行业标杆，提升企业品牌认知度和影响力，为行业发展注入更多创新力和推动力。

　　在此次颁奖典礼上，英诺赛科凭借先进的氮化镓技术和卓越的市场开拓能力，被评为“第三代半导体年度标杆领军企业”和“中国氮化镓十强企业”。这两项荣誉的获得，不仅是对英诺赛科在氮化镓领域创新成果的肯定，更是对其在推动第三代半导体产业发展方面所做贡献的认可。

　　除了企业荣誉外，英诺赛科的40V车规级产品INN040FQ045A-Q也荣获了“年度影响力产品”奖。该产品是英诺赛科基于40V车规平台开发的一款超小封装的氮化镓车规芯片，已通过AEC-Q101车规级认证。该芯片具备小体积、低损耗、高频高功率的优点，是继车载激光雷达之后第二款打入车规前装市场的氮化镓芯片，为新能源汽车的智能化、便捷化提供了有力支持。

　　英诺赛科表示，未来将继续秉持创新理念，不断增强产品竞争力，与合作伙伴携手共进，为第三代半导体产业的发展贡献更多力量。

（文章来源：中国财富网）