氮化镓爆发期或将来临。

来源丨投中网

12月30日，全球功率半导体领域的革新者——英诺赛科正式在港交所挂牌上市(02577.HK)，开盘市值超过270亿。作为全球首家实现量产8 英寸硅基氮化镓晶圆的领军企业，英诺赛科此次成功登陆资本市场或将推进硅基氮化镓技术进入新一轮的商业应用规模发展时代。

与传统的硅基器件相比，硅基氮化镓凭借高开关速度、高功率密度和低导通电阻的优势，在各领域加速渗透。基于在这一赛道的技术优势和规模化量产能力，英诺赛科有望在行业爆发期保持领先地位。

华业天成在早期重仓投资后连续多轮次加注，成为英诺赛科最重要的投资机构之一，这也是2024年继珂玛科技上市后，华业天成投资组合中年内的第2个上市公司。

从左往右依次为：华业天成创始合伙人孙业林、英诺赛科创始人兼董事长骆薇薇、华业天成创始合伙人杨华君

华人女博士逐梦归国

七年开创“芯”蓝图

每一轮技术变革和商业创新，都推动着社会生产力的跃升，而这一次发生在功率半导体领域，创变者是英诺赛科。

每个赛道都有新机遇

英诺赛科以不懈的创新和技术突破，设计、开发及生产包含分立器件、集成电路、晶圆及模组在内的氮化镓产品，并广泛应用于消费电子、可再生能源、工业应用、汽车电子及数据中心等领域。其自主研发的8英寸硅基氮化镓量产技术，显著降低成本并提升了器件性能和可靠性，成功实现了高频、高效、低损耗的功率器件量产，是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

根据弗若斯特沙利文的数据资料，按收入计，英诺赛科于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一。同时，截至2024年6月30日，以折算氮化镓分立器件计，公司累计出货量超过8.5亿颗，进一步巩固了其行业领导地位。

在产能方面，截至2024年6月30日，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，公司产能达到每月12,500片晶圆，该能力使其能够以稳定的供应抓住不断增长的市场机会，从而培养客户的信心。与6英寸硅基氮化镓晶圆相比，公司凭借先进的量产技术，使得每晶圆的晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%，体现出英诺赛科在氮化镓产品持续创新及商业化方面的成本优势和领导地位。

时代需要行业开拓者

在如此硬核数据的背后，引领这场全球功率半导体变革的，是一位睿智恬静的女博士——骆薇薇。她自新西兰梅西大学应用数学专业毕业，在全球顶尖航天机构工作了15年后，2015年骆薇薇回国创办英诺赛科。

当时的氮化镓规模化商用的前景并不明朗，而骆薇薇带着国际化的眼光，以不带“行业包袱”的开创性视角，开启了功率半导体领域的创新与创造，“这是时代给予我们的伟大机会，我们不应该辜负”，这种格局和使命使她果断作出了三个在旁人看来极具挑战性而不敢尝试的战略选择，一是氮化镓、二是8英寸、三是IDM模式。

骆薇薇确定了战略方向之后，以极强的资源整合与人才招募能力开启了事业宏图，陆续获得一众学界、产业界的顶级人才的加盟和助力，现任CEO吴金刚，是原中芯国际研发副总裁，CFO钟山则是几家上市公司高管。

创变者之势可以燎原，骆薇薇的革新使命也吸引诸多知名投资机构的深度认同，先后获得招银国际、吴江产投、华业天成、SK China等机构的重磅投资，领衔英诺赛科港股上市的基石投资的是半导体巨头STM（意法半导体），而电源管理芯片头部企业硅力杰也在IPO轮投资加持。

华业天成重仓英诺赛科

理性评估后的冒险精神

从历轮融资中不难发现，华业天成也是英诺赛科发展途中的坚定认同者与产业战略伙伴。作为一个具备深度产业基因的硬科技投资机构，一向对兼具技术门槛和商业前景的项目青睐有加，遇到英诺赛科这样的行业创变者更是如获至宝，早期重仓后连续两轮加码。

回忆起当初的投资决策，华业天成创始合伙人孙业林阐述了投资的三层逻辑：

一、判断趋势

首先是判断趋势，功率器件从硅到氮化镓是重大行业变革机遇。在孙业林看来，硅功率器件发展成熟，几乎接近了硅材料的工艺极限，而氮化镓材料的禁带宽度、击穿场强、饱和电子速率、电子迁移率等关键材料性能数倍地优于硅材料，从而带来了耐压耐辐射、开关频率高、导通电阻低等差异化技术特征，是功率器件升级的潜在最好方案，尤其适用于未来高速发展的的AI 算力、智能电动汽车等这些对功率器件有更高要求的关键产业。

二、捕捉拐点

当确定这一产业变革趋势后，第二层逻辑是“捕捉拐点”。VC 投资中重仓一个项目，最大的挑战来自于对时机的判断，和对创始人的判断。孙业林认为，新技术路线的规模产业化，有两种典型的范式，一种是突变式，10 倍以上的价值提升，如 OpenAI；一种是渐变式，大部分都是这种，主要看客户、技术产品成熟度、价格这三者的平衡，从一个细分市场开始启动产业化。“我们当时注意到，部分客户已分别在非高可靠性产品应用，和高性能产品领域开展试用和研发验证，而且工艺成本已接近硅材料，并有望在未来几年低于硅材料。尽管当时良率不高，但已呈现出稳步提升的趋势。所以我们选择了在大家还不确信的时候果断布局，等待技术与市场爆发的临界点”。而今，英诺赛科团队经过数年的艰辛努力，已经表现出很高的生产良率，有竞争力的价格，成为出货量最多的公司，也事实上推动了行业的发展，弗若斯特沙利文预测未来四年氮化镓功率器件的年化增速是98.5%。

三、选择创始人

关于“为什么英诺赛科”？在孙业林看来，骆薇薇有着难得的“经过理性评估后追求大成功的冒险精神”，这便是企业家精神的内核之一。英诺赛科在几个关键时点都作出了“难而正确”的重大决策，一是选择8英寸，二是选择IDM模式，在当时看来是很有魄力和格局的战略选择，也是英诺赛科一路发展以来成功构筑起竞争壁垒的关键。这也正是华业天成与英诺赛科不谋而合的观点：“在氮化镓产业成熟前，IDM （集成设计生产）是行业早期发展的最优路径，因为当设计和工艺都不成熟的情况下，耦合在一起发展才有最快的迭代改进速度”。

除了战略决策的关键能力，有丰富复杂项目管理经验的骆薇薇，在企业发展中也具有很强的识别主要矛盾、并以强烈的韧性坚定解决主要矛盾的能力，比如在不同发展阶段，她都能组织聚合一众关键人物，解决当下企业发展的关键问题，使得英诺赛科能持续迭代晋级，进入高速增长阶段。

在英诺赛科骆薇薇看来，“华业天成不仅仅是投资人、是良师益友、更是战友，也是成就我们的人”，英诺赛科CEO吴金刚同样认为华业天成是英诺赛科稳步前行的重要伙伴，“华业天成对第三代半导体领域有着深远的洞察力和前瞻性的战略眼光，在技术路线和行业应用方面都有精准的判断，在市场尚未明朗之时果断选择重仓布局，并且一路坚定的支持与陪伴，持续在战略研判、业务拓展及客户应用端提供有力支持，也是氮化镓半导体产业创新发展的坚定推动者和深度思考者”。

从左往右依次为：华业天成创始合伙人杨华君、英诺赛科CEO吴金刚、英诺赛科创始人兼董事长骆薇薇、华业天成创始合伙人孙业林

上市不是终点而是起点

氮化镓爆发期或将来临

硅基氮化镓技术之所以如此硬核，因为它能够显著提升能效，降低系统体积和成本，经过英诺赛科持续不懈的市场验证，已建立起众多领域共识，它将是取代传统硅基功率器件的重要技术路径。

于英诺赛科而言，港股上市不是终点，本次开启资本市场的新征程，是新一轮发展启动的临界点。据招股说明书显示，本轮英诺赛科IPO募集所得资金净额60%将用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、购买并升级生产设备与机器，以及招聘生产人员；其他将用于研发并扩大产品组合、提高市场渗透率、扩大氮化镓产品的全球分销网络等方面。

值得一提的是，占据基石投资总金额的一半的STM（意法半导体），作为全球重要的汽车芯片供应商之一，与英诺赛科强强联合，为接下来氮化镓大规模上车做好了提前布局。此外，随着5G/6G通信、数据中心、光伏储能和快充等领域的快速发展，对高效电力电子器件的需求持续攀升，在全球碳中和趋势和能源结构升级的背景下，拥有极其广阔的行业前景。

目前，氮化镓市场渗透率才刚起步，随着全球市场对高功率、高频应用的关注，正推动硅基氮化镓在服务器电源、无线充电、工业电源等更多场景中的渗透率不断提升，全球氮化镓功率半导体市场规模预计到2028年增长到501.4亿元人民币，为相关企业创造巨大的商业机会，而英诺赛科作为行业的率先变革者，形成的技术优势、IDM模式以及规模化量产能力，已构筑领先壁垒，将迎来领先发展优势。

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