春天的脚步临近，但存储厂商们还在过冬。

上一个冬天其实并不算遥远，从2021年第三季度开始，包括NAND和DRAM在内的存储市场都遭受了重创，DRAM价格下跌了57%，而NAND价格同期下跌了55%，供应商的生产过剩和市场的需求衰退引发了价格暴跌。

而从2023年下半年开始，存储市场出现了一定程度的回暖，尤其是伴随着AI的火热，HBM成为了AI芯片不可或缺的存储产品，帮助DRAM市场迅速走出冬天。

但温暖的季节并未持续太久，随着时间来到2025年初，存储市场似乎迎来了另一个冬天。

NAND出现暴跌？

NAND厂商的日子这两年一直不太好过，同时生产DRAM的三星、海力士和美光还能靠着HBM喘一口气，而只做NAND的铠侠和西部数据就有点难受了。

回溯2022年NAND市场的大幅下滑，其中部分原因是疫情。当人们开始在家工作时，推动了消费电子产品的繁荣，随后大型数据中心和云服务商的基础设施也进行了更新，来支持这一转变，这一时期可以被称作是超大规模企业的快速扩张期。

而在快速扩张过后，很快迎来了紧缩期，超大规模企业在2022年底至2023年期间通过数据缩减等方式提高利用率，从现有资产中获取了尽可能多的价值，而在2023年这部分企业购买的闪存比2022年减少了54%。与此同时消费者对NAND的需求也在下降。

值得关注的是，NAND行业在此期间并没有肆意增加供应量，因此供大于求的主要原因是需求的衰退，最终NAND供应商只能通过减产来应对，其中铠侠减产幅度高达30%，三星的减产幅度更是高达50%。

NAND厂商的营业利润率和毛利率在这一年均为负数，创下了净亏损的新纪录，甚至可能是有史以来最糟糕的一年。

这也让铠侠和西部数据这样专注NAND的厂商开始寻找出路，例如此前再次谈起的两家合并，以及铠侠单独上市等，甚至在NAND上相对薄弱的SK海力士也进行了相应调整，宣布收购而来的Solidigm退出消费业务。

对于NAND厂商来说，经历了2023年的暴跌之后，2024是调整和恢复元气的一年，但坏消息总是接踵而至。

根据TrendForce的报告，目前NAND闪存库存过剩正给供应商带来财务压力。该机构表示，2025年的增长率预测已从30%下调至10%-15%。

“为了抑制位供应增长，NAND闪存制造商已采取更果断的减产措施，缩减全年产量。这些措施旨在迅速缓解市场失衡，并为价格复苏奠定基础。”TrendForce指出。

Gartner的总监级分析师兼技术产品负责人Shrish Pant预计，2025年上半年NAND闪存价格仍将低迷，但由于AI服务器需求持续增长，他预计SSD的位出货量将在下半年增加。

“供应商目前正全力以赴地控制供应，这将推动2025年下半年价格回升。从长期来看，AI需求将继续推动更大容量和更高性能SSD的需求。”Pant表示。

Pant在接受采访时提到，存储市场具有季节性特点：“采购模式意味着NAND闪存价格将保持周期性波动，取决于超大规模数据中心的采购行为。”

而根据存储分销商Memphis Electronic在LinkedIn上的一篇帖子，闪存价格已连续四个月下跌，主要受智能手机和笔记本电脑制造商等关键买家采购下降的影响，这些厂商被认为是NAND闪存的主要消费群体。

值得一提的是，PC市场自疫情以来一直表现疲软，该市场在2021年达到3.5亿台的出货高峰后便持续下滑，尽管有Windows 10停止支持以及AI PC的出现，但都未能重新激发消费者兴趣。2024年，PC市场的全球出货量同比增长仅为1%，达到2.622亿台。

而根据Canalys的数据，2024年智能手机市场反而表现相对较好，全球出货量同比增长7%，达到12.2亿部。

去年年底，SK海力士在财报电话会议上警告称：“尽管企业级SSD需求稳健，但由于PC和移动客户的采购需求疲软，销售位增长环比下降了十几个百分点。”关于近期的生产计划，该公司补充道：“对于NAND，我们将继续专注于技术迭代，而不是提升产能，直到行业库存被充分消化。”

美光也在去年9月的第四季度财报电话会议上表示：“我们对2024年和2025年整个行业NAND位需求增长的展望已下调至低双位数百分比，这低于我们此前的预期。”其将NAND出货量增长放缓归因于消费设备需求疲软、各终端市场的持续库存调整，以及“在经历了多个季度的快速增长后，客户对数据中心SSD的短期采购放缓。”

美光表示，2024年和2025年行业NAND增长预期的下滑意味着“供应端需要采取相应措施来实现平衡”。不过，该公司仍预计，由于AI工作负载的增长，长期来看，NAND作为首选存储方式的需求将持续上升。

尽管AI带动了企业级SSD的需求增长，但消费市场的疲软，让NAND厂商完全乐观不起来，就目前而言，几家厂商都在专注于提升技术而非扩产。

DRAM不容乐观

相较于NAND，DRAM市场表现相对好一些，但价格下跌也是免不了的。

根据去年年底TrendForce的预测，DRAM市场将在2025年第一季度迎来明显价格下跌，其中PC、服务器和GPU VRAM领域预计将出现大幅下滑。

其指出，在 PC DRAM 市场，价格预计将下降8-13%。这一下降主要是由于消费者需求疲软和 DDR4 内存模块供应过剩。中国制造商增加了 DDR4 产量，进一步饱和了市场并给价格带来了额外压力。虽然 DDR5 的采用率正在稳步增长，但尚未达到抵消上一代 DDR4 模块供应过剩所需的规模。因此，PC 制造商正在利用较低的价格来增加库存，尽管他们非常谨慎，以避免在需求不确定的情况下出现库存过剩。

服务器 DRAM 价格预计也将下降，但降幅小于 PC DRAM，预测降幅为 5-10%。从 DDR4 到 DDR5 和高带宽内存 (HBM) 的持续过渡继续影响着服务器 DRAM 市场。主要供应商正在将生产能力从 DDR4 重新分配到更新的技术，以满足数据中心和 AI 应用日益增长的需求。然而，DDR4 内存的供应过剩，加上企业客户的谨慎采购策略，导致价格受到抑制。虽然 DDR5 的采用率正在增长，但其目前的使用量仍不足以抵消 DDR4 的供应过剩。

在 GPU VRAM 领域，价格预计将下跌 5-10%，主要原因是需求低迷和库存水平上升。尽管部分产能已转向 HBM，尤其是用于 AI 和数据中心应用的高性能 GPU，但对传统图形 DRAM 的需求仍然疲软。游戏和专业图形市场尚未从高库存水平和消费者需求疲软的时期完全恢复，导致 GPU VRAM 价格持续下跌。

DRAM厂商在2023年初时也经历了价格大幅下跌，仅第一季度 DRAM 成本就下降了 20%。

到 2024 年，尽管下跌速度有所放缓，但市场仍面临挑战。具体表现为库存水平高，消费电子、游戏和数据中心等关键领域的需求依然疲软。此外，DDR5 和 HBM 等较新内存技术的缓慢采用导致老一代 DRAM 模块长期过剩，进一步导致价格不稳定。

随着 2025 年的到来，这些挑战没有立即得到解决的迹象，反而有进一步加重的迹象。

这一点也促使DRAM厂商做出更多改变。

早在去年11月，SK海力士就计划在 2024 年第四季度之前将其传统 DRAM 产量减少至 20%，该公司将重新分配资源，以满足对 AI 专用内存和先进 DRAM 产品日益增长的需求。报告指出，SK海力士一直在稳步缩减DDR4产量，将产量从2024年第二季度的40%减少到第三季度的30%，并计划在第四季度减少到20%。

而据日经新闻报道，由于需求疲软导致价格下跌，三星、SK 海力士和美光正在转向 DDR5 和高带宽内存 (HBM)，并可能在 2025 年逐步淘汰 DDR3 和 DDR4，预计未来将专注于先进的内存技术。

消息人士表示，三大 DRAM 制造商可能会在 2025 年底前停止生产 DDR3 和 DDR4。此举可能会导致 2025 年夏季后出现供应短缺，一位关键零部件分销商指出，预计停产可能会导致严重的供应限制，挑战市场动态并影响定价策略。

根据inSpectrum的数据显示，在市场低迷的情况下，DDR5现货价格仍持续上涨，DDR4价格则保持稳定，而DDR3现货价格在过去几年一直呈下降趋势。

DRAM厂商把更多精力放在了DDR5和HBM上，尤其是HBM，近两年在DRAM市场中的份额稳步增长，已经成为主要的利润增长点之一。

逃不过去的冬天

在首尔江南区COEX举行的“Semicon Korea 2025”新闻发布会上，市场研究机构Gartner副总裁Gaurav Gupta表示：“从长期来看，存储器行业无法避免周期性波动。”

据Gartner数据显示，存储市场（包括DRAM和NAND闪存）在2022年和2023年分别下滑了13.8%和35.8%。然而，去年受人工智能（AI）投资增长的推动，该市场反弹了71.8%。

Gupta预测，存储市场将在2024年增长13.0%，2025年继续增长11.6%，但从2025年后，市场将再次进入下行周期。不过，AI加速器所需的高价值高带宽存储（HBM）预计将持续增长至2028年。他预计，HBM在2023年至2028年间的年均复合增长率（CAGR）将达到62%。

他指出，在整体DRAM收入中，HBM的占比预计将从2024年的13.6%上升至2028年的30.6%。整体来看，结合逻辑芯片和存储芯片的全球半导体市场规模预计将从2023年的6260亿美元增长至2028年的8294亿美元，并在2030年至2031年间突破1万亿美元大关。

特别是在服务器、AI加速器、高性能计算（HPC）和汽车领域，半导体的应用预计将大幅增长。而由于半导体销售额与云计算服务提供商（CSP）的资本支出（CAPEX）密切相关，预计CSP的投资将持续增长至2026年。

国际半导体设备与材料协会（SEMI）高级总监Clark Tseng表示：“全球七大CSP的资本支出从2018年的800亿美元增长至2023年的2000亿美元，并预计在2024年超过2500亿美元。”

他还预测，服务器在整体半导体市场中的占比将从2024年的24%增加到2030年的34%。此外，他表示，预计韩国半导体制造商将在2026年后减少对DRAM的投资，并大幅增加对NAND闪存的投资。

从数据中不难看出，DRAM市场的主要增长动力就来自于HBM和服务器产品，NAND也大抵如此，巨头们大量兴建数据中心，让存储市场比预计中更早实现了回暖，但冬天也比预计来的更早一些。

这也就是说，如果消费电子领域迟迟未出现明显增长点的话，DRAM和NAND市场就很难保持稳定增长而不出现下滑，仅靠服务器这一个领域的繁荣，难以支撑起整个市场。

更何况，服务器端的需求也并非一直高歌猛进，此前Futurum Group半导体副总裁兼业务负责人Richard Gordon针对数据中心领域的存储需求指出：“除了SSD的库存调整外，由于AI半导体出口管制及其他地缘政治问题带来的不确定性，数据中心HBM的短期需求也将放缓。”

而厂商们在这种情况下的唯一出路就是往更高端走，通过赢取更高的利润来消弭市场价格波动的影响。

Gordon表示：“市场环境将有所改善，存储厂商将加速向先进制程和高端技术（如HBM3、HBM4、DDR5、LPDDR和堆叠芯片等）转移，这将消耗大量产能，并减少传统/常规产品的产出。目标是优化产出结构，并更好地控制平均售价（ASP）。”

“不过，存储市场的格局正在发生变化。”Gordon补充道，“它正从一个竞争激烈、高度周期性、波动剧烈的商品化市场，转向一个更加专业化、高端化的市场。供应商数量减少，技术壁垒提高，使得企业能够更好地掌控供应和定价。此外，从中期来看，AI数据中心的需求似乎仍然无比旺盛。”

写在最后

2025年全球存储市场正经历一场由AI驱动的结构性变革，DRAM与NAND领域加速向高附加值技术全面倾斜。随着传统市场需求疲软及价格持续承压，三星、SK海力士、美光等头部厂商纷纷将产能转向HBM、DDR5、LPDDR5等高端产品，试图通过技术升级重构行业竞争壁垒。

HBM3E凭借AI算力需求的爆发成为市场核心增长点，其产出预计在2025年翻倍，但高昂的晶圆消耗与低良率也导致传统DRAM产能被大幅挤占。与此同时，DDR5在服务器与PC市场的渗透率突破50%，进一步压缩了DDR4等成熟制程的生存空间，迫使厂商通过减产、停产低端产品优化产能结构。

不论是DRAM厂商还是NAND厂商，都不免在新的冬天里挣扎沉浮，但它们或多或少，都已经明确了自己的目标，那就是放弃价格战与频繁调整库存，转而构筑更强大的技术壁垒。

展望未来，存储行业的“专业化”趋势将愈发清晰，传统存储依旧存在，但市场中的主角只会是那些把握住市场风向，真正在技术上领先的厂商。